[发明专利]ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法

权利要求书

1.一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；

步骤2：按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；

步骤3：ZnO体单晶表面沉积保护层防止Sb原子的外扩散；

步骤4：对Sb离子注入掺杂的ZnO体单晶样品分别进行900℃和1000℃快速退火激活，退火时间1-3分钟。

2.根据权利要求1所述的多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶的方法，其特征在于，步骤2中所述对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂后，得到的掺杂层中Sb离子是均匀分布的。

3.根据权利要求1所述的多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶的方法，其特征在于，步骤3中所述ZnO体单晶表面沉积的保护层为氮化硅或是氮化镓，其厚度为1-3微米。

4.根据权利要求3所述的多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶的方法，其特征在于，步骤3中所述ZnO体单晶表面沉积的保护层氮化硅是通过PECVD法生长，氮化镓是通过MOCVD法生长。

5.根据权利要求1所述的的多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶的方法，其特征在于，步骤4中所述快速退火用于激活注入的部分Sb离子，并消除部分注入引起的晶格损伤。