[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210189693.4 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102723365A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 金在光;李小和;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，其特征在于，
所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述漏极上方或所述漏极下方的辅助漏极，其中所述源极与所述辅助漏极之间形成有第二沟道。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极之间的第一沟道的长度小于所述源极与所述辅助漏极之间的第二沟道的长度。
4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述辅助漏极为经过一次构图工艺制作形成。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～4所述的任一薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极和所述像素电极经过一次构图工艺制作形成。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5或6所述的阵列基板。
8.一种薄膜晶体管的制造方法，包括在基板上形成栅极，在所述栅极上方形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成有源层，其特征在于，还包括：
制作覆盖所述有源层的第一导电材料层，通过一次构图工艺形成漏极或源极；
制作第二导电材料层，通过一次构图工艺形成对应所述漏极的源极或对应所述源极的漏极；
在所述源极和所述漏极之间形成第一沟道；
在所述源极和漏极上方形成保护层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：通过和形成所述源极的同一次构图工艺形成辅助漏极，其中所述源极和所述辅助漏极之间形成有第二沟道。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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