[发明专利]硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池加工技术领域，具体而言，涉及一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。

背景技术

在生产太阳能单晶多晶硅片过程中，都会产生多余的头尾边皮和切割后的残余。其表面在加工过程中残留了切割液、金属离子、和附带硅胶等杂质。若想重复使用这些硅料，必须做清洁处理。

目前，光伏行业常用的清洁处理方法是人工喷砂打磨法，即操作工人操作喷砂机床用机械方式清除可见杂质。这种清洁方法对于嵌入较深的碳化硅不易处理，切损耗大，若硅块表面粘有较多的杂质，打磨起来不仅费时费力，还会造成大量的硅料损失。简言之，现有技术的清洁方法存在如下缺点：1、方法简单、笨拙，不能起到质量控制作用；2、劳动强度大，工作效率低；3、不易清除肉眼难以看到的杂质，特别是表面各类金属；4、硅料损失多，成本高。

发明内容

本发明旨在提供一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法，以解决现有技术中对废硅料的清洗不彻底，且工作效率低的而技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。该方法包括以下步骤：1）将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡，然后用纯水漂洗；2）将经过混合酸液浸泡的废硅料放入碱液中浸泡，然后用纯水漂洗；3）将废硅料放入盐酸溶液中浸泡，然后用纯水漂洗、烘干，其中，混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。

进一步地，混合酸液中酸的质量百分含量为5%~10%。

进一步地，步骤1）中浸泡的时间为10~15分钟，浸泡温度为室温。

进一步地，步骤1）和/或步骤2）中用纯水漂洗的步骤包括：将废硅料放入电导率为14~16兆的循环纯水中用超声波进行漂洗。

进一步地，在漂洗过程中盛放纯水的容器匀速晃动。

进一步地，漂洗的时间为5-15分钟。

进一步地，步骤2）的碱液为15wt%~25wt%的NaOH溶液。

进一步地，步骤2）中的浸泡的时间为5~10分钟，浸泡温度为80~90℃。

进一步地，步骤3）中的盐酸为5wt%~15wt%的HCl溶液。

进一步地，步骤3）中浸泡的时间为5~10分钟，浸泡温度为室温。

应用本发明的技术方案，将待清洗的废硅料依次进行混合酸液浸泡、纯水漂洗、碱液浸泡、纯水漂洗、盐酸溶液浸泡、纯水漂洗、烘干的步骤，既能有效地彻底清除废硅料表面及嵌入较深的杂质，又不会造成硅料损失，由于大多的杂质是通过酸蚀或碱蚀去除的，不需要人工打磨，所以工作效率提高。另外，混合酸液是电池制备过程中废弃的酸液，不仅节约了成本，还为废水处理、减排降耗做出了贡献。

附图说明

说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明实施例的硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法的流程图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

本发明中“废硅料”是指生产太阳能单晶、多晶硅片过程中产生的多余头尾边皮硅料及切割后的残余硅料。

根据本发明一种典型的实施方式，提供一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。该包括以下步骤：1)将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡，然后用纯水漂洗；2）将经过混合酸液中浸泡的废硅料放入碱液中浸泡，然后用纯水漂洗；3）将废硅料放入盐酸溶液中浸泡，然后用纯水漂洗、烘干，其中，混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。应用本发明的技术方案，将废硅料依次进行混合酸液浸泡、纯水漂洗、碱液浸泡、纯水漂洗、盐酸溶液浸泡、纯水漂洗、烘干的步骤，因为酸液或碱液可以很容易浸入到废硅料中，相对于人工打磨，既能有效地彻底清除废硅料表面及嵌入较深的杂质，又不会造成硅料损失，由于大多的杂质是通过酸蚀或碱蚀去除的，不需要人工打磨，所以工作效率提高。另外，电池制备过程产生的废弃酸液在现有技术中通常污水处理后达标排放本发明中利用了电池制备过程中的废弃酸液，不仅节约了成本，还为废水处理、减排降耗做出了贡献。