[发明专利]一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其步骤：

步骤1：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；

步骤2：GaN外延片进入PECVD设备，短时间低温沉积氧化硅或者氮化硅，控制参数，使沉积物为纳米岛状；

步骤3：利用纳米岛状沉积物作为刻蚀掩膜，对外延片进行刻蚀，形成表面粗化的外延片；

步骤4：在将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；

步骤5：在外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜 ;

步骤6：在GaN外延片的P-GaN上制作P电极，在n-GaN上制作N电极，完成器件制备。

2. 根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石、硅、碳化硅或金属。

3.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：其中PECVD采用硅烷和笑气作为沉积氧化硅薄膜的先驱气体。

4.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：其中纳米岛状沉积物直径为100nm-20000nm。

5.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：对GaN外延片进行刻蚀时使用干法刻蚀或者湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：表面粗化的GaN外延片的粗糙度为5nm-500nm。

7.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：其中台面的刻蚀深度到达n-GaN层内。

8.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：其中制作的粗化的P-GaN的面，可以是器件上全部的P-GaN，也可以是P-GaN上未被电极覆盖的区域。

9.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：本发明对应的粗化GaN的方法还可以用于ITO和钝化层的粗化。

10.根据权利要求1所述具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其特征在于：本发明对应的粗化GaN的方法还可以用于直接在钝化层沉积粗糙度高的透明层或者在芯片层间沉积粗糙面，也可以用于粗化透明导电层，以提高芯片的出光效率。