[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法无效
| 申请号： | 201210190079.X | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709424A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 韩杰;魏世桢 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 发光 效率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底（1）、低温缓冲层（2）、高温缓冲层（3）、N型层（4）、N型层（5）、电流扩展层 （6）、N型层（7）、发光层MQW （8）、P型层（9）、P型层（10）、 P型层（11）；其特征在于：电流扩展层（6）采用了超晶格结构组成， 并且N型层（7）的总厚度不超过50nm。
2.如权利要求1所述一种提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：电流扩展层（6）的掺杂浓度小于N型层（5、7）。
3.如权利要求1所述一种提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：电流扩展层（6）由层（如图2 所示的6a）AlxGa1-xN 0≤x＜1和层（如图2 所示的6b）AlyGa1-yN 0≤y＜1组成超晶格结构，其中x<y<1。
4.如权利要求1所述一种提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：电流扩展层（6）中（6a、6b）可以是非掺杂的也可以是N型掺杂的。
5.如权利要求1所述一种提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：电流扩展层（6）中6a的厚度≥6b的厚度。
6.如权利要求1所述一种提高发光二极管发光效率的方法，其特征在于：电流扩展层（6）中超晶格结构的周期数为3到15个之间。
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