[发明专利]一种基于级联硅波导与边腔耦合的光子晶体传感器阵列无效

专利信息
申请号: 201210190728.6 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN103076306A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 田慧平;杨伊;杨大全;黄家钿;纪越峰 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: G01N21/59 分类号: G01N21/59;G01N21/41;G02B6/122
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 级联 波导 耦合 光子 晶体 传感器 阵列
【权利要求书】:

1.一种基于级联硅波导与边腔耦合的光子晶体传感器阵列的实现方法,其中:该光子晶体传感器阵列是基于二维光子晶体的空气孔三角晶格结构,其中背景结构硅的折射率nsi=3.50。在每个光子晶体波导中分别引入一个结构简单的边腔,并用优化的硅波导将三个边腔耦合光子晶体波导级联,通过向空气孔中注入分析物实现传感。

2.根据权利要求1所述的实现方法,其特征在于光子晶体边腔的具体设计方法和级联硅波导的优化方法,本方案中边腔的设计是通过将两个空气孔分别向左和向右平移形成。

3.根据权利要求1所述的实现方法,其特征在于提高光子晶体波导和级联硅波导之间的耦合,需要改变级联硅波导的宽度和长度,还需改变硅波导上下两侧空气区域的面积和边缘位置。

4.根据权利要求2或3所述的实现方法,其特征在于通过测量输出端透射谱中下坠峰的偏移量来完成对不同分析物的感知、检测和分析。

5.根据权利要求2或3所述的实现方法,其特征在于具有同时检测多种分析物的能力。

6.根据权利要求2或3所述的实现方法,其特征在于具有较高灵敏度的传感特性,在检测不同折射率的分析物时,灵敏度为120nm/RIU。

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