[发明专利]一种涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底及制备

权利要求书

1.一种涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底，其特征在于：为在金属盲孔阵列表面涂覆增益介质的表面增强拉曼光谱基底结构，基底金属上均布有圆形、矩形或三角形盲孔阵列，金属基底上涂覆的增益介质为罗丹明6G/聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。

2.根据权利要求1所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底，其特征在于：所述基底金属为金、银或铜。

3.根据权利要求1所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底，其特征在于：所述盲孔的边长或直径、孔深、涂覆增益层厚度、孔阵列的x方向周期及y方向周期均为0.1λ-2λ，金属基底厚度大于0.1λ，其中：λ为处于可见-红外波段的波长，λ为0.3μm-2μm；增益介质薄膜的厚度为0.01λ-2λ。

4.一种如权利要求1所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底的制备，其特征在于：通过在有机溶剂中溶入染料分子实现，步骤如下：

1）采用表面平整的玻璃或硅为基片，并在其上利用电子束加热蒸镀技术镀一层铬膜；

2）采用电子束加热蒸镀技术在上述镀有铬膜的基片上沉积厚度大于0.1λ的基底金属；

3）将罗丹明6G和聚甲基丙烯酸甲酯溶于有机溶剂二氯甲烷中得到混合溶液，将混合溶液涂覆在基底金属表面并烘干，形成在基底金属表面上涂覆有增益介质的薄膜；

4）采用聚焦离子束刻蚀技术在上述涂覆有增益介质的基底金属表面加工出盲孔阵列，即可制得在金属盲孔阵列表面涂覆增益介质的表面增强拉曼光谱基底结构。

5.根据权利要求4所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底的制备，其特征在于：所述基片的尺寸长不超过200mm、宽不超过200mm、厚不超过20mm。

6.根据权利要求4所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底的制备，其特征在于：所述在基片上沉积铬膜的厚度不小于5nm。

7.根据权利要求4所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底的制备，其特征在于：所述在镀有铬膜的基片上沉积金属膜厚度大于0.1λ。

8.根据权利要求4所述涂覆增益介质的拉曼光谱高电磁增强基底的制备，其特征在于：所述罗丹明6G与聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为0.001-0.5:1，罗丹明6G和聚甲基丙烯酸甲酯与二氯甲烷的用量比为0.1-1g/ml。