[发明专利]高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路

权利要求书

1.一种高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，包括：

高端电压自举N型开关管；

前级驱动器件，其输出端与所述高端自举N型开关管的栅极相连；

自举电源电容，其两端分别与所述前级驱动器件的两个供电端相连，其两端具有自举电源电压；

驱动电源电压采样单元，用于将所述自举电源电容两端的自举电源电压采样为对地的自举电源电压；

导通电阻复制单元，用于使用所述对地的自举电源电压测量所述高端电压自举N型开关管的导通电阻。

2.根据权利要求1所述的高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，所述驱动电源电压采样单元包括：

电压电流转换单元，接收所述自举电源电压并将其转换为检测电流；

电流电压转换单元，将所述检测电流转换为所述对地的自举电源电压。

3.根据权利要求2所述的高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，所述电压电流转换单元包括：

第一PMOS晶体管，其源极与所述自举电源电容的第一端相连，其栅极与其漏极相连；

第一电阻，其第一端连接所述第一PMOS晶体管的漏极，其第二端连接所述自举电源电容的第二端；

第二PMOS晶体管，其源极与所述自举电源电容的第一端相连，其栅极与所述第一PMOS晶体管的栅极相连，其漏极输出所述检测电流，所述第二PMOS晶体管与第一PMOS晶体管的尺寸相同。

4.根据权利要求3所述的高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，所述电压电流转换单元还包括：

高压PMOS晶体管，其源极连接所述第二PMOS晶体管的漏极，其栅极连接所述自举电源电容的第二端，所述检测电流经由所述高压PMOS晶体管的漏极输出。

5.根据权利要求3所述的高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，所述电流电压转换单元包括：

第三PMOS晶体管，其源极接收所述检测电流，其栅极连接其漏极，所述第三PMOS晶体管和第一PMOS晶体管在导通时的栅源电压相同；

第二电阻，其第一端连接所述第三PMOS晶体管的漏极，其第二端接地，所述第二电阻与所述第一电阻的电阻值相同。

6.根据权利要求1所述的高端电压自举N型开关导通电阻的检测电路，其特征在于，所述导通电阻复制单元包括：

与所述高端电压自举N型开关管相匹配的匹配开关管，其栅极接收所述对地的自举电源电压，源极接地，漏极接收检测电流。