[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在基板的背面在与表面侧栅极电极对置的位置设置了背面侧栅极电极的半导体装置的制造方法。

背景技术

提出了为了提高截止特性而在源极电极和漏极电极之间设置了多个栅极电极的晶体管（例如，参照专利文献1）。为了提高成品率，需要确保栅极电极的间隔为一定距离以上。因此，源极电极和漏极电极的间隔变大，所以，导通电阻增大，产生电压降，输出受到损失，导致元件的导通特性的降低。这样，导通特性和截止特性处于折衷的关系。

相对于此，提出了在基板的背面在与表面侧栅极电极对置的位置设置了背面侧栅极电极的晶体管（例如，参照专利文献2）。由此，能够从表背两侧进行电流的通断控制，截止特性提高。此外，由于源极电极与漏极电极的间隔没有变大，所以，也能够防止导通特性的降低。

专利文献1：日本特开2007－73815号公报。

专利文献2：日本特开平9－82940号公报。

一般地，在对表面侧和背面侧的图案进行对位的情况下，使用利用显微镜同时观察基板的表面侧和背面侧的两面对准器。但是，两面对准器的对位精度是数μm～数十μm，所以，不能够应用于制造要求亚微米（sub-micron）以下的对位的晶体管。

在专利文献2中，在形成背面侧栅极电极时，将表面侧栅极电极作为掩模，从表面对在背面所涂敷的抗蚀剂进行曝光。因此，在表面侧栅极电极为T字形的情况下，背面侧栅极电极的栅极长度比表面栅极电极的栅极长度长。此外，由于使曝光用的光透过，所以，在沟道厚度方面存在制约。此外，在实际的半导体装置中，在表面侧栅极电极上设置有保护膜或电镀布线，所以，从表面进行曝光是困难的。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置的制造方法。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在对于可见光透明的半导体基板的表面形成源极电极以及漏极电极；在所述半导体基板的表面，在所述源极电极和所述漏极电极之间形成表面侧栅极电极；在所述半导体基板的表面，在所述源极电极和所述漏极电极之间以外的区域形成对准标记；基于能够透过所述半导体基板观察到的所述对准标记，对所述半导体基板进行对位，在所述半导体基板的背面，在与所述表面侧栅极电极对置的位置形成背面侧栅极电极。

根据本发明，能够在不损害设计的自由度的情况下容易地制造具有高的导通特性和截止特性的半导体装置。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的半导体装置的俯视图。

图2是沿着图1的Ⅰ－Ⅱ的剖面图。

图3是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图4是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图5是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图6是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图7是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图8是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图9是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图10是示出本发明的实施方式 1的半导体装置的制造方法的剖面图。

图11是示出本发明的实施方式2的半导体装置的剖面图。

图12是示出本发明的实施方式3的半导体装置的剖面图。

图13是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造方法的剖面图。

图14是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造方法的剖面图。

附图标记说明：

1  半导体基板

2  源极电极

3  漏极电极

4  表面侧栅极电极

5  对准标记

6  背面侧栅极电极

7  凹部

13  绝缘体

14  金属

15  焊料凸起

16 电路基板

17  电极。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或者对应的结构要素标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。

实施方式1