[发明专利]光强分布的测量方法有效
| 申请号： | 201210192083.X | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103487139A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;朱景雷;姜开利;冯辰;魏继卿;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/04 | 分类号： | G01J1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分布 测量方法 | ||
1.一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：
提供一设置于基底一表面的碳纳米管阵列，并将该设置于基底的碳纳米管阵列放置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有一远离基底的第一表面；
用一待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出可见光；
提供一反射镜，使该碳纳米管阵列所辐射的可见光经该反射镜反射；以及
利用一成像元件对反射镜所反射的可见光成像，并读出待测光源的光强分布。
2.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管相互平行。
3.如权利要求2所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与基底的表面之间的角度为大于等于10度且小于等于90度。
4.如权利要求3所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与基底的表面之间的角度大于等于60度且小于等于90度。
5.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，将所述碳纳米管阵列设置于一腔室内，制作该腔室的材料为透光材料。
6.如权利要求5所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述腔室内通入氮气、氨气或惰性气体，或所述腔室内为真空状态。
7.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述待测光源为二氧化碳激光器。
8.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述待测光源沿着平行于碳纳米管轴向的方向照射所述碳纳米管阵列的第一表面。
9.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述反射镜的焦点落在碳纳米管阵列的第一表面的中心位置。
10.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述反射镜的曲率半径为10毫米至100毫米。
11.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，碳纳米管阵列到反射镜之间的距离小于80毫米。
12.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，将所述碳纳米管阵列设置于一腔室内，所述成像元件与反射镜分别间隔设置于该腔室的两侧。
13.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述成像元件到碳纳米管阵列的距离小于80毫米。
14.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述反射镜靠近碳纳米管阵列的第一表面，且与所述碳纳米管阵列间隔设置。
15.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述成像元件为CCD或CMOS。
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