[发明专利]一种磁性线圈加工制造方法无效
申请号: | 201210192387.6 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103489613A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 司马珍 | 申请(专利权)人: | 司马珍 |
主分类号: | H01F41/00 | 分类号: | H01F41/00;H01F17/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213234 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 线圈 加工 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于磁电领域,特别是涉及一种磁性线圈加工制造方法。
背景技术
电感元件是电子产业中极为重要的元器件,传统电感元件是在磁性材料元件上绕线制成;另一种电感元件是在线圈外包覆一导磁材料所制成的包覆体,从而构成电感元件。传统的电感元件,由一上一下两个磁芯和一线圈组合而成,下位的磁芯设有一凹槽,用于容置线圈,上位的磁芯与其对应盖合,再经点胶粘接、烘烤等工艺,使两磁芯结合成为一包覆体。这种电感元件,在两块磁芯组合处会存在空隙,这是一个很大的导磁缺陷,由此会产生振动和噪音,还会造成磁损加大,影响电感的品质因数(quality factor,简称Q值)。另一方面,这样的制造方法需要手工作业,而且上下两磁芯还需要表面涂装,还污染环境,加工成本也较高,不利于大量生产。
为克服传统磁性元件绕线问题,业界已逐渐改采柱状磁芯,其产品除了载流线圈周围可形成磁力线回圈外,大多都呈现放射线状由磁芯中心向外逸散,此为电磁干扰(EMI)的主要来源,且其磁力线路径都外曝在空气中,并无增强磁场感应的功能。
为改善开放式磁性元件缺点,市场多采用在磁芯外部增加一外盖的方式,俗称组合式磁芯元件(Drum Core),组合式磁芯元件相较于开放式元件,其具有两项明显优点:
1.增长外加磁力线于磁性材料路径,可加强整体磁场强度输出。
2.外盖将磁力线引导至外盖材质中,减少磁力线逸散。
但此种设计仍有组件空隙(Gap)问题,由于采用组装方式构成,故组件中必有组件空隙,此部份空隙将造成50%以上的磁损。
现有的加工方法存在如下问题:
1、工人的劳动强度高;
2、加工效率低;
3、线圈的绕制密度及间距难以控制,导致所加工的产品一致性差。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种磁性线圈加工制造方法,本发明可以降低工人的劳动强度,提高加工效率,产品的一致性好。
本发明的目的是通过如下技术方案实现的:
一种磁性线圈加工制造方法,该方法包括如下步骤:
A、将载流线圈围绕于磁芯外围组成磁性储能元件;
B、将磁性储能元件材料置于模具中,在磁性储能元件外围投入磁性屏蔽材料,调节磁性储能元件材料及磁性屏蔽材料的比例;在容器中将混合材料搅拌均匀而形成膏状;将膏状的混合材料冷压入型腔;高温加热使混合材料固化形成膏状,将膏状混合材料冷压入型腔内形成混合材料,所述磁性储能元件占膏混合材料重量的75-90%;
C、高温加热,使磁性储能元件与磁性屏蔽材料在型腔中固化后形成包裹式导磁体,该包裹式导磁体将线圈包裹并与线圈一体而形成环形的产品。
优选地,,所述磁性储能元件占混合材料重量的80-90%(重量比)。
优选地,所述的磁性储能元件是铁氧体磁性材料、金属磁性材料、非晶磁性材料、纳米超微晶磁性材料中的一种或多种。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:制造简单,电气特性佳。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明创造保护的范围。
实施例1
一种磁性线圈加工制造方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
A、将载流线圈围绕于磁芯外围组成磁性储能元件;
B、将磁性储能元件材料置于模具中,在磁性储能元件外围投入磁性屏蔽材料,调节磁性储能元件材料及磁性屏蔽材料的比例;在容器中将混合材料搅拌均匀而形成膏状;将膏状的混合材料冷压入型腔;高温加热使混合材料固化形成膏状,将膏状混合材料冷压入型腔内形成混合材料,所述磁性储能元件占膏混合材料重量的80%;
C、高温加热,使磁性储能元件与磁性屏蔽材料在型腔中固化后形成包裹式导磁体,该包裹式导磁体将线圈包裹并与线圈一体而形成环形的产品。
所述的导磁材料是铁氧体磁性材料、金属磁性材料、非晶磁性材料、纳米超微晶磁性材料中的一种或多种。
实施例2
一种磁性线圈加工制造方法,该方法包括如下步骤:
A、绕制线圈,并将其置于型腔内;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于司马珍,未经司马珍许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210192387.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:芯片部件结构体
- 下一篇:一种功率电感器的加工制造方法