[发明专利]显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素电路，尤其涉及可有效补偿晶体管临界电压偏移的像素电路。

背景技术

由于薄膜晶体管-主动式有机发光二极管(Thin Film Transistor-Active Matrix Organic Light Emitting Diode，缩写为TFT-AMOLED)显示器具有低制造成本、高反应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、工作温度范围大、以及重量轻等优点，因此成为目前市场上开发的主流。

TFT-AMOLED显示器主要有两种制作方式，一种是利用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，缩写为LTPS)TFT的技术，另一种则是利用非晶硅(Amorphous Silicon，缩写为a-Si)TFT的技术。而在驱动的薄膜晶体管的部分，LTPS的技术通常使用P型晶体管作为驱动的薄膜晶体管，而a-Si的技术通常使用N型晶体管作为驱动的薄膜晶体管。

a-Si技术具有薄膜晶体管均匀度较佳以及制作成本较低等优点。然而，使用N型的驱动薄膜晶体管的缺点在于，在操作一段时间后，晶体管的临界电压会开始劣化，亦即在相同的驱动电压之下无法输出与初始相同的电流，而造成显示画面出现明显亮暗纹的现象(称为MURA效应)。此外，由于N型晶体管通常搭配倒置式有机发光二极管(Inverted OLED)，但与正规的有机发光二极管(Normal OLED)相比，倒置式有机发光二极管的工艺较为复杂。

因此，需要一种全新的像素电路，使用N型晶体管结合正规的有机发光二极管，并且可有效补偿晶体管临界电压偏移。

发明内容

根据本发明的一实施例，一种显示器，包括一像素矩阵。像素矩阵包括多个像素，其中至少一像素包括有机发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容与第二电容。第一晶体管具有一第一端耦接至有机发光二极管的一阳极，用以驱动有机发光二极管。第二晶体管耦接于第一晶体管的第二端与一重置电压之间，并且具有一控制极接收一重置信号。第三晶体管耦接于有机发光二极管的阳极与第一晶体管的一控制极之间，并且具有一控制极接收一补偿信号。第一电容耦接于第一晶体管的控制极与有机发光二极管的阳极之间。第二电容耦接至第一电容与第一晶体管的控制极。

根据本发明的另一实施例，一种像素电路，包括有机发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容与第二电容。第一晶体管耦接至有机发光二极管的一阳极，用以驱动有机发光二极管。第二晶体管耦接于第一晶体管与一重置电压之间，并且具有一控制极接收一重置信号。第三晶体管耦接于有机发光二极管的阳极与第一晶体管的一控制极之间，并且具有一控制极接收一补偿信号。第一电容耦接于第一晶体管的控制极与有机发光二极管的阳极之间。第二电容耦接至第一电容与第一晶体管的控制极。当有机发光二极管发光时，流经第一晶体管的一电流大小与晶体管的一临界电压以及有机发光二极管的阳极的一电压无关。

附图说明

图1是显示根据本发明的一实施例所述的显示器的多种实施方式。

图2是显示根据本发明的第一实施例所述的像素电路。

图3是显示根据本发明的第一实施例所述的控制信号波形图。

图4a是显示根据本发明的一实施例所述的像素电路于第一操作阶段P1的等效电路图。

图4b是显示根据本发明的一实施例所述的像素电路于第二操作阶段P2的等效电路图。

图4c是显示根据本发明的一实施例所述的像素电路于第三操作阶段P3的等效电路图。

图5是显示根据本发明的第二实施例所述的像素电路。

图6是显示根据本发明的第二实施例所述的控制信号波形图。

【主要元件符号说明】

100～电子装置；

101～显示器面板；

102～输入单元；

110～栅极驱动电路；

120～数据驱动电路；

130～像素矩阵；

140～控制芯片；

200、500～像素电路；

202～有机发光二极管；

a、b、c、d～节点；

C1、C2～电容；

DATA～数据线；

I～电流；

T1、T2、T3、T4、T5、T6～晶体管；

P1、P2、P3～操作阶段；