[发明专利]陶瓷基片双面光刻工艺及结构

权利要求书

1.一种陶瓷基片双面光刻工艺，其特征在于，其包括如下步骤：

1)根据陶瓷基片上下表面金属图形要求制作相应的上掩模板和下掩模板；

2)将陶瓷基片进行双面溅渡，并在陶瓷基片的上下表面上均涂布上光刻胶；

3)将上掩模板设置在陶瓷基片上方，下掩模板设置在陶瓷基片下方，通过一定位装置使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应；

4)在上掩模板的上方、下掩模板的下方分别设置一曝光装置，通过上下两个曝光装置分别对陶瓷基片的上下表面进行曝光处理；

5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理，并进行清洗，在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层，最后将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液进行清洗。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻工艺，其特征在于：在步骤2)首先将光刻胶滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋转从而使光刻胶均匀的涂布在陶瓷基片上。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻工艺，其特征在于：在步骤5)中采用等离子清洗方法清洗陶瓷基片。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻工艺，其特征在于：在步骤5)中在陶瓷基片表面镀的金属层为黄金层、铂金层或钛金属层。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基片双面光刻工艺，其特征在于：在步骤5)中在陶瓷基片表面镀的金属层可以为一层或多层。

6.一种陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：其包括一支撑框架，所述支撑框架的上端设有上掩模板，所述支撑框架的下端设有下掩模板，所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各设有一曝光装置，所述上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架，所述陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片，所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。

7.根据权利要求6所述的陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：所述陶瓷基片支撑架两侧各设有一导轨，所述导轨固定在所述支撑框架上，所述陶瓷基片支撑架与所述导轨滑动配合。

8.根据权利要求6所述的陶瓷基片双面光刻结构，其特征在于：所述支撑框架设有用于对陶瓷基片支撑架进行限位的限位机构。