[发明专利]一种有机半导体纳米线的制备工艺

权利要求书

1.一种制备有机半导体纳米线的工艺方法，其特征在于其步骤为：

(a)在称量瓶中加入一定量的溶剂乙醇，然后加入已经称量的有机半导体材料酞菁氧钛用作溶质；最终配置溶液浓度在0.3-1.5mg/mL；

(b)在称量瓶中放入磁力搅拌子，接着在超声机中超声25-30分钟；

(c)超声完后，将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上，调节加热温度在45-50℃，搅拌速率为200-700rpm，静置12-24小时；

(d)静置后过滤获得滤液；选取表面干净的镀有二氧化硅的硅片作为基板衬底放在承载容器内；并将承载容器放在密闭容器中；密闭容器中盛有乙醇溶剂；选用的乙醇溶剂体积与密闭容器体积比在0.02-0.1之间；接着将上述滤液滴入到上述基板衬底上；滤液体积与基板衬底面积比例为80-82μL/cm²，密闭静置；环境温度保持在21-26℃；静置24-72小时后，即可在所述基板衬底上得到有机纳米线。

2.如权利要求1所述的一种制备有机半导体纳米线的工艺方法，其特征在于所述溶剂为除乙醇(CH₃CH₂OH)外，还可以为甲醇(CH₃OH)、或丙酮(C₃H₆O)、或三氯甲烷(CH₃Cl₃)、或甲苯(C₇H₈)。

3.如权利要求1所述的一种制备有机半导体纳米线的工艺方法，其特征在于所述的有机半导体材料除酞菁氧钛(TiOPc)外，还可以为酞菁钴(CoPc)、或酞菁(H₂Pc)、或六噻吩(α-sexithiophene)、或并五苯(Pentacene)。

4.如权利要求1所述的一种制备有机半导体纳米线的工艺方法，其特征在于所述的基板衬底除生长有二氧化硅硅片(生长有300nm二氧化硅，<100>或者<111>晶向的N型硅片)外，还可以为纯硅片(<100>或者<111>晶向N型硅片)、或石英玻璃、或聚甲基丙烯酸甲酯玻璃(PMMA)、或镀有金(Au)的二氧化硅硅片。