[发明专利]基于过剩载流子衰减的太阳能晶硅硅片分析筛选方法无效
| 申请号： | 201210194377.6 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102709396A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;朱君兰;赵同荣 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南通市永通专利事务所 32100 | 代理人： | 葛雷 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 过剩 载流子 衰减 太阳能 硅片 分析 筛选 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于过剩载流子衰减的太阳能晶硅硅片分析筛选方法，其特征是：利用脉冲光源作为激发源，使硅片产生过剩载流子从而产生附加光电导，通过检测光电导衰减，将硅片进行区分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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