[发明专利]用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版有效
| 申请号： | 201210194780.9 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102694091A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡连章;刘宗源;吴建国;陈海文 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆级 封装 暴露 电极 方法 掩膜版 | ||
1.一种用于在晶圆级封装中暴露电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S101、将掩膜版与已完成荧光粉涂覆的晶圆定位，使所述掩膜版的网孔与所述晶圆的电极对位；
S102、向掩膜版的网孔中注入荧光胶溶解液，使晶圆电极表面与掩膜版网孔对位部分的荧光胶层溶解；
S103、从掩膜版取下所述晶圆并进行清洗和干燥处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S102中采用自动点射溶液设备的针头注入荧光胶溶解液。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述荧光胶溶解液至少含有甲氧基物、氢氧化物之一。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S101进一步包括设置所述掩膜版的厚度，使所述网孔的容积适合容纳溶解荧光胶所需的溶解液。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掩膜版的厚度设置为2mm-5mm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S101进一步包括设置所述掩膜版网孔的大小，使得所述网孔的直径小于对应电极的横向尺寸。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤S101进一步包括在所述掩膜版与荧光胶层接触的一面的网孔边缘处，设置凸起的针状结构，用于当掩膜版与晶圆接触时，嵌入所述荧光胶层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S102进一步包括调节溶解液浓度和/或溶解时间来控制荧光胶层溶解的精确度。
9.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，当所述电极的正负极与网孔对应部分的荧光胶层厚度不一致时，分别先后向正极或负极对应的网孔注入溶解液。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在掩膜版上设置定位孔或者通过真空吸附的方式，将掩膜版与已完成荧光粉涂覆的晶圆定位。
11.一种掩膜版，用于在晶圆级封装中暴露电极，其特征在于，包括网孔，所述网孔用于与晶圆的电极对位。
12.如权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述网孔的直径小于对应电极的横向尺寸。
13.如权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，在所述掩膜版与荧光胶层接触的一面的网孔边缘处，设有凸起的针状结构，当所述掩膜版与完成荧光粉涂覆的晶圆接触时，所述凸起的针状结构可嵌入所述晶圆荧光胶层。
14.如权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的厚度为2mm-5mm。
15.如权利要求11-14任一所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版设有定位孔，用于将掩膜版与已完成荧光粉涂覆的晶圆定位。
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