[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法

权利要求书

1.一种具有提高的灵敏度的电场传感器，该电场传感器包括：

源区；

漏区；

将源区电连接到漏区的电阻区，该电阻区具有根据电场的强度而变化的电阻，通过检测流过电阻区的漏电流的变化来检测电场的变化；

至少一个负电阻器，连接到漏区。

2.如权利要求1所述的电场传感器，其中，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到在源区和漏区之间施加电压的电压施加单元的电路中。

3.如权利要求1所述的电场传感器，其中，负电阻器的负载线的负电阻区的梯度与电场传感器的漏电压-漏电流曲线的线性区的梯度相似，并且所述负电阻区和所述线性区彼此相交。

4.如权利要求1所述的电场传感器，其中，使用隧道二极管作为所述至少一个负电阻器。

5.如权利要求1所述的电场传感器，其中，使用串联和/或并联的多个隧道二极管作为负电阻器。

6.如权利要求5所述的电场传感器，其中，所述多个隧道二极管串联和/或并联，以使得隧道二极管的负载线的负电阻区的梯度与电场传感器的漏电压-漏电流曲线的线性区的梯度相似，并且所述负电阻区和线性区彼此相交。

7.一种再现铁电记录介质的信息的电路，包括：

电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区，并且所述电阻区的电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；

电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；

再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中。

8.如权利要求7所述的电路，其中，负电阻器的负载线的负电阻区的梯度与电场传感器的漏电压-漏电流曲线的线性区的梯度相似，并且所述负电阻区和所述线性区彼此相交。

9.如权利要求7所述的电路，其中，所述负电阻器是隧道二极管。

10.如权利要求9所述的电路，其中，所述再现信号检测单元包括串联和/或并联的多个隧道二极管。

11.如权利要求10所述的电路，其中，所述隧道二极管串联和/或并联，以使得隧道二极管的负载线的负电阻区的梯度与电场传感器的漏电压-漏电流曲线的线性区的梯度相似，并且所述负电阻区和线性区彼此相交。

12.如权利要求7所述的电路，其中，所述电场传感器还包括：设置在所述电阻区上的写电极，绝对值等于或大于阈值电压的电压被施加到该写电极，以便在铁电记录介质上记录信息，其中，在所述写电极和电阻区之间设置有绝缘层。