[发明专利]化合物半导体组件晶圆整合结构

权利要求书

1.一种化合物半导体组件晶圆整合结构，依序包括：

一基板；

一第一磊晶层，位于该基板之上，为一p型掺杂层；

一蚀刻终止层，位于该第一磊晶层之上，为一n型掺杂层；

一第二磊晶层，位于该蚀刻终止层之上，为一n型渐变掺杂层，其掺杂浓度从下到上为递减或递增；

一次集极层，位于该第二磊晶层之上，为一n型掺杂层；

一集极层，位于该次集极层之上，为一n型掺杂层；

一基极层，位于该集极层之上，为一p型掺杂层；以及

一射极层，位于该基极层之上，为一n型掺杂层。

2.如权利要求1所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该第一磊晶层、该蚀刻终止层、该第二磊晶层以及该次集极层构成一变容二极管或一金属半导体场效晶体管的磊晶结构；该次集极层、该集极层、该基极层以及该射极层构成一异质接面双极晶体管的磊晶结构。

3.如权利要求1所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该第二磊晶层包含复数层n型掺杂层，该复数层n型掺杂层分别具有不同掺杂浓度，且该复数层n型掺杂层的掺杂浓度由下至上为递减或递增。

4.如权利要求1或3所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，构成该第二磊晶层的材料为砷化镓。

5.如权利要求1或3所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该第二磊晶层的掺杂浓度范围为1×10¹⁵至1×10²²cm^-3，且其厚度为10至1000nm。

6.如权利要求1所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该蚀刻终止层由磷化铟镓所构成。

7.如权利要求1所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，构成该基板的材料为砷化镓或磷化铟。

8.一种化合物半导体组件晶圆整合结构，依序包括：

一基板；

一第一磊晶层，位于该基板之上，为一n型掺杂层；

一第二磊晶层，位于该第一磊晶层之上，为一n型渐变掺杂层，其掺杂浓度从下到上为递增或递减；

一第三磊晶层，位于该第二磊晶层之上，为一p型掺杂层；

一蚀刻终止层，位于该第三磊晶层之上；

一次集极层，位于该蚀刻终止层之上；

一集极层，位于该次集极层之上；

一基极层，位于该集极层之上；以及

一射极层，位于该基极层之上。

9.如权利要求8所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该n型掺杂层、该第二磊晶层以及该第三磊晶层构成一变容二极管的磊晶结构；该次集极层、该集极层、该基极层以及射极层构成一异质接面双极晶体管的磊晶结构。

10.如权利要求8所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该第二磊晶层包含复数层n型掺杂层，该复数层n型掺杂层分别具有不同掺杂浓度，且该复数层n型掺杂层的掺杂浓度由下至上为递增或递减。

11.如权利要求8或10所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，构成该第二磊晶层的材料为砷化镓。

12.如权利要求8或10所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该第二磊晶层的掺杂浓度范围为1×10¹⁵至1×10²²cm^-3，且其厚度为10至1000nm。

13.如权利要求8所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，该蚀刻终止层由磷化铟镓所构成。

14.如权利要求8所述的化合物半导体组件晶圆整合结构，其特征在于，构成该基板的材料为砷化镓或磷化铟。