[发明专利]用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极有效
| 申请号： | 201210195125.5 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103219367A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄渊圣;解子颜;张铭庆;陈昭成;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 器件 具有 多晶 复合 栅极 | ||
1.一种半导体器件，包括：
晶体管，包括：
半导体层，设置在衬底上方，所述半导体层具有鳍状结构；
栅极介电层，包裹至少一部分的所述半导体层；
多晶硅层，以共形方式设置在所述栅极介电层上方；以及
金属栅电极层，设置在所述多晶硅层上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多晶硅层具有基本上恒定的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管是n-型FinFET器件。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括邻近所述n-型FinFET器件设置的p-型FinFET器件，其中，所述p-型FinFET器件不包括多晶硅层。
5.一种FinFET半导体器件，包括：
鳍状结构，形成在衬底上方；
栅极介电层，至少部分地包裹所述鳍状结构的一部分，所述栅极介电层包含高-k栅极介电材料；
多晶硅层，共形地形成在所述栅极介电层上；以及
金属栅电极层，形成在所述多晶硅层上方。
6.根据权利要求5所述的FinFET半导体器件，其中，所述多晶硅层位于所述栅极介电层之上的部分的厚度与所述多晶硅层位于所述鳍状结构底部附近的部分的厚度基本上相同。
7.根据权利要求5所述的FinFET半导体器件，其中，所述FinFET半导体器件是n-型FinFET。
8.一种制造FinFET器件的方法，包括：
提供鳍状结构，所述鳍状结构包含半导体材料；
在所述鳍状结构上方形成栅极介电层，所述栅极介电层至少部分地包裹所述鳍状结构；
在所述栅极介电层上方形成多晶硅层，其中，以共形方式形成所述多晶硅层；以及
在所述多晶硅层上方形成伪栅极层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多晶硅层位于所述栅极介电层之上的部分的厚度基本上等于所述多晶硅层位于所述鳍状结构底部附近的部分的厚度。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅极介电层包含高-k介电材料。
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