[发明专利]利用非相干光进行光刻的装置及方法

权利要求书

1.利用非相干光进行光刻的装置，其特征在于，它包括普通光源(1)、准直系统(2)、半反半透镜(3)、掩模(4)、光刻胶(5)、第一全反镜(6)、第二全反镜(7)和第三全反镜(8)，

普通光源(1)发射的光经准直系统(2)准直后输出平行光束，所述平行光束被半反半透镜(3)分成反射光束和透射光束，半反半透镜(3)的透射光束通过掩模(4)照射在光刻胶(5)的正面；

半反半透镜(3)的反射光束通过第一全反镜(6)、第二全反镜(7)和第三全反镜(8)三次全反射改变光路后，作为光刻参考光束入射至光刻胶(5)的背面。

2.根据权利要求1所述利用非相干光进行光刻的装置，其特征在于，掩模(4)由石英晶体构成。

3.根据权利要求1所述利用非相干光进行光刻的装置，其特征在于，掩模(4)由透明材料构成，掩模(4)的折射率与空气折射率不相等。

4.根据权利要求1所述利用非相干光进行光刻的装置，其特征在于，它还包括平行光缩放系统，所述平行光缩放系统设置在掩模(4)与光刻胶(5)之间，用于改变掩模(4)在光刻胶中所成图形的大小。

5.采用权利要求1所述利用非相干光进行光刻的装置的光刻方法，其特征在于，该方法为：

步骤一、预调准：撤掉光路中的掩模(4)，调节半反半透镜(3)的透射光束和光刻参考光束的干涉面出现在光刻胶中，以保证放入掩模(4)后，掩模的图形能够出现在光刻胶(5)中；

步骤二、在光路中放入掩模(4)，所述光刻参考光束与透过掩模(4)的光刻光束在光刻胶(5)中干涉，在光刻胶(5)中形成掩模图形。

6.根据权利要求5所述利用非相干光进行光刻的方法，其特征在于，所述光刻光束与所述光刻参考光束不干涉时的总光强小于光刻胶阈值，所述光刻光束与所述光刻参考光束在光刻胶(5)中干涉时的总光强大于光刻胶阈值。