[发明专利]采用硬掩模形成金属线和通孔

权利要求书

1.一种器件，包括：

介电层；

位于所述介电层中的金属线；

在所述金属线下面并且连接至所述金属线的通孔；

与所述金属线相邻的两个伪金属图案，其中所述两个伪金属图案与一条直线对准；

互连所述两个伪金属图案的伪金属线，其中所述伪金属线的宽度小于所述两个伪金属图案的长度和宽度，其中在与所述直线垂直的方向上测量所述宽度，并且其中所述两个伪金属图案和所述伪金属线的底部与所述金属线的底面大体齐平。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

设置成具有重复布局的多个伪图案，其中所述多个伪图案中的相邻图案通过窄的伪金属线互连。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述多个伪图案形成包括多行和多列的阵列，并且其中，位于所述多个伪图案的同一行中的两个图案通过窄的伪金属线互连。

4.一种器件，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上方的低k介电层；

位于所述低k介电层的上部中的多个伪金属图案，其中所述多个伪金属图案设置到包括多行和多列的布局中；以及

位于所述低k介电层的上部中的多个伪金属连接件，其中所述多个伪金属图案中的相邻图案通过所述多个伪金属连接件互连。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述多个伪金属连接件中的每一个的宽度都具有小于所述多个伪金属图案的长度和宽度。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，位于所述多个伪金属图案中的同一行中的所有相邻图案都通过所述多个伪金属图案互连。

7.一种方法，包括：

在衬底上方形成介电层；

在所述介电层上方形成硬掩模；

图案化所述硬掩模；

蚀刻所述介电层以在所述介电层中形成多个开口，其中所述硬掩模被用作蚀刻掩模；以及

填充所述多个开口以形成：

多个伪金属图案，和

多个伪金属连接件，其中所述多个伪金属图案中的相邻图案通过

所述多个伪金属连接件互连。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，蚀刻所述介电层的步骤包括干蚀刻，并且其中所述方法还包括：在蚀刻所述介电层的步骤之后以及填充所述多个开口的步骤之前，实施湿清除以清除在所述多个开口中的残留物。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述硬掩模包括氮化物和金属的化合物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硬掩模包括氮化钛。