[发明专利]半层高的超紧凑立交桥单元

权利要求书

1.半层高的超紧凑立交桥单元，包括多个半层高超紧凑立交桥，所述半层高超紧凑立交桥包括呈交叉状的上桥面和下桥面，所述下桥面呈凹状设于水平路面下方，所述上桥面呈凸状架设于所述下桥面之上，其特征在于：在所述上桥面和所述下桥面交叉区域内设有一等深区域，在所述上桥面和所述下桥面交叉的四个拐角处均设有专门用于右转的右转桥，所述右转桥的两端呈渐变状分别连接在所述上桥面和所述下桥面上的右转车道上。

2.根据权利要求1所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：在所述上桥面上位于所述等深区域内，设有一对用于原地掉头的下穿越原地掉头桥。

3.根据权利要求2所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：所述下穿越原地掉头桥的谷底与所述下桥面的谷底呈相切持平状态。

4.根据权利要求1所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：在所述下桥面上位于所述等深区域内，设有一对用于原地掉头的上飞跃原地掉头桥。

5.根据权利要求4所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：所述上飞跃原地掉头桥的峰点与所述上桥面的峰点呈相切持平状态。

6.根据权利要求1所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：所述上桥面的峰点与水平路面形成的高度为3m。

7.根据权利要求1所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：所述下桥面的谷底与水平路面形成的深度为3m。

8.根据权利要求1所述的半层高的超紧凑立交桥单元，其特征在于：所述等深区域与水平路面形成的深度为3m。