[发明专利]具有反射增强层的光伏装置

权利要求书

1.光伏装置(10)，其包括：

含有硫属化物材料的吸收层(20)；

背接触(40)；和

放置在所述吸收层(20)与所述背接触(40)之间的反射增强层(30)。

2.权利要求1的光伏装置(10)，其进一步包括中间层(50)，其中所述吸收层(20)放置在所述中间层(50)与所述反射增强层(30)之间。

3.权利要求1的光伏装置(10)，其中所述吸收层(20)包括镉和碲，所述光伏装置(10)进一步包括中间层(50)，其中所述吸收层(20)放置在所述中间层(50)与所述反射增强层(30)之间，和

其中所述中间层(50)包含选自以下的材料：硫化镉(CdS)、硫化铟(III) (In₂S₃)、硫化锌(ZnS)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化镉镁(CdMgTe)、硒化镉(CdSe)、含氧的硫化镉(CdS:O)、氧化铜(Cu₂O)、无定形或微晶硅和Zn(O,H)及其组合。

4.权利要求3的光伏装置(10)，其中所述吸收层(20)的厚度小于约2微米。

5.权利要求1的光伏装置(10)，其中所述反射增强层(30)包含至少一种透明导电材料，并且其中所述透明导电材料具有大于所述吸收层(20)的光学带隙的光学带隙。

6.权利要求5的光伏装置(10)，其中所述反射增强层(30)的厚度t在约50-300 nm范围内，并且其中所述透明导电材料选自BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS、LaCuOS、(LaSr)CuOS、LaCuOSe、LaCuOSe:Mg、LaCuOTe、LaCuOSe0:6Te0:4、BiCuOSe、(BiCa)CuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、其中x+y+z=3的Co_xZn_yNi_zO₄及其组合。

7.权利要求1的光伏装置(10)，其中所述硫属化物材料包含由下式表示的掺杂或未掺杂的组合物：Cu_xZn_ySn_zS_4-qSe_q，其中1.8<x<2.2，0.8<y<1.2，0.8<z<1.2和0≦q≦4。

8.光伏装置(10)，其包括：

含有镉和碲的吸收层(20)；

背接触(40)；和

放置在所述吸收层(20)与所述背接触(40)之间的反射增强层(30)，其中所述反射增强层(30)包含至少一种透明导电材料；和

中间层(50)，其中所述吸收层(20)放置在所述中间层(50)与所述反射增强层(30)之间，和其中所述中间层(50)包括选自以下的材料：硫化镉(CdS)、硫化铟(III) (In₂S₃)、硫化锌(ZnS)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化镉镁(CdMgTe)、硒化镉(CdSe)、含氧的硫化镉(CdS:O)、氧化铜(Cu₂O)、无定形或微晶硅和Zn(O,H)及其组合。

9.权利要求8的光伏装置(10)，其中所述透明导电材料选自BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS、LaCuOS、(LaSr)CuOS、LaCuOSe、LaCuOSe:Mg、LaCuOTe、LaCuOSe0:6Te0:4、BiCuOSe、(BiCa)CuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、其中x+y+z=3的Co_xZn_yNi_zO₄及其组合，所述光伏装置(10)进一步包括放置在所述吸收层(20)与所述反射增强层(30)之间的缓冲层(90)。

10.光伏装置(10)，其包括：

含有硫属化物材料的吸收层(20)，其中所述硫属化物材料包含由下式表示的掺杂或未掺杂的组合物：Cu_1-yIn_1-xGa_xSe_2-zS_z，其中0≦x≦1；0≦y≦0.3和0≦z≦2；

背接触(40)；和

放置在所述吸收层(20)与所述背接触(40)之间的反射增强层(30)，其中所述反射增强层(30)包含至少一种透明导电材料，和其中所述透明导电材料具有大于所述吸收层(20)的光学带隙的光学带隙。