[发明专利]在基底中制作多个沟槽的方法

权利要求书

1.一种在基底中制作多个沟槽的方法，包括：

提供一基底；

于该基底上形成一第一掩模层，该第一掩模层具有至少一第一开口以及至少一第二开口，其中该第二开口大于该第一开口，且该第一开口与该第二开口皆暴露出该基底；

形成一覆盖该第二开口的第二掩模层；

以该第一掩模层与该第二掩模层为掩模进行一第一蚀刻工艺，以于该第一开口下方的该基底中形成一第一沟槽；

移除该第二掩模层；

形成一覆盖该第一开口的第三掩模层；

以该第一掩模层与该第三掩模层为掩模进行一第二蚀刻工艺，以于该第二开口下方的该基底中形成一第二沟槽；以及

移除该第三掩模层。

2.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第二掩模层与该第三掩模层的形成顺序为先形成该第二掩模层，并且在移除该第二掩模层之后才形成该第三掩模层。

3.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第二掩模层与该第三掩模层的形成顺序为先形成该第三掩模层，并且在移除该第三掩模层之后才形成该第二掩模层。

4.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第二掩模层填满该第二开口。

5.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第三掩模层填满该第一开口。

6.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中形成该第二掩模层的方法包括：

于该基底与该第一掩模层上全面形成一感光材料层，该感光材料层填满该第一开口与该第二开口；

进行一光刻工艺，以移除该感光材料层的位于该第一开口中的部分。

7.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中形成该第三掩模层的方法包括：

于该基底与该第一掩模层上全面形成一感光材料层，该感光材料层填满该第一开口与该第二开口；

进行一光刻工艺，以移除该感光材料层的位于该第二开口中的部分。

8.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第一掩模层的制作方法包括：

于该基底上形成一缓冲层；

于该缓冲层上形成一第一掩模材料层；

于该第一掩模材料层上形成一第二掩模材料层；

于该第二掩模材料层上形成一图案化光阻层；

以该图案化光阻层为掩模进行一第一蚀刻工艺，以蚀刻该第二掩模材料层而形成一第二图案化掩模层；

移除该图案化光阻层；

以该第二图案化掩模层为掩模进行一第二蚀刻工艺，蚀刻该第一掩模材料层与该缓冲层，以形成贯穿该第一掩模材料层与该缓冲层的该第二开口与该第一开口；以及

移除该第二图案化掩模层。

9.如权利要求10所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该缓冲层的材质包括有机或无机的抗反射材料，该第一掩模材料层的材质包括金属、硼硅酸玻璃、或硅化钛，该第二掩模材料层的材质包括氮化物。

10.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该第一蚀刻工艺与该第二蚀刻工艺皆为干式蚀刻工艺。

11.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，其中该些第一沟槽与该第二沟槽的深度大抵相同。

12.如权利要求1所述的在基底中制作多个沟槽的方法，还包括：

在形成该些第一沟槽与该第二沟槽之后，移除该第一掩模层。