[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201210196002.3 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102723359A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/51 | 分类号: | H01L29/51;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括:基板以及依次设置在基板上的栅极、第一栅极绝缘层和有源层,所述第一栅极绝缘层包裹所述栅极,所述有源层包裹所述第一栅极绝缘层,其特征在于,所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,在所述第一栅极绝缘层和所述有源层之间还设置有第二栅极绝缘层;所述第二栅极绝缘层包裹所述第一栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层的材料包括氮氧化铝。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极的材料包括铝。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极,分层设置有内侧栅极层和外侧栅极层;所述内侧栅极层的材料包括铜,所述外侧栅极层的材料包括铝。
5.一种阵列基板,包括至少一个薄膜晶体管;所述薄膜晶体管,包括:基板以及依次设置在基板上的栅极、第一栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层,所述第一栅极绝缘层包裹所述栅极,所述有源层包裹所述第一栅极绝缘层,其特征在于,所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一栅极绝缘层和所述有源层之间还设置有第二栅极绝缘层;所述第二栅极绝缘层包裹所述第一栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层的材料包括氮氧化铝。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极的材料包括铝。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极,分层设置有内侧栅极层和外侧栅极层;所述内侧栅极层的材料包括铜,所述外侧栅极层的材料包括铝。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5-8任一所述的阵列基板。
10.一种薄膜晶体管制备方法,其特征在于,包括:
在基板上形成栅极;
形成包裹所述栅极的第一栅极绝缘层,其中所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝;
形成有源层。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,形成包裹所述栅极的第一栅极绝缘层,其中所述第一栅极绝缘层的材料包括氧化铝之后,还包括:
形成包裹所述第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层,其中所述第二栅极绝缘层的材料包括氮氧化铝。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述形成包裹所述第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层,其中所述第二栅极绝缘层的材料包括氮氧化铝之后,还包括:
在氮气和氧气的环境下,进行退火处理。
13.根据权利要求10-12任一所述的方法,其特征在于,所述在基板上形成栅极,具体为:
在所述基板上沉积铜层,形成内侧栅极层;
沉积铝层,形成包裹所述内侧栅极层的外侧栅极层。
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