[发明专利]一种MEMS微结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210196631.6 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103482563A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 姚日英;王祝山;张国华;黄国华 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 微结构 制备 方法 | ||
1.一种MEMS微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成聚酰亚胺牺牲层并预固化；
在所述聚酰亚胺牺牲层表面形成掩膜层；
去除形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层；
去除未被所述掩膜层保护的所述聚酰亚胺牺牲层；
去除剩余的所述掩膜层；
固化所述聚酰亚胺牺牲层。
2.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺牺牲层的厚度为3um-5um。
3.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述预固化温度为110℃-130℃，时间为10min-40min。
4.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，被去除的形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层的宽度为5mm-10mm。
5.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为光阻层。
6.如权利要求5所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为2um-4um。
7.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺牺牲层的固化温度为300℃-400℃，固化时间为0.5h-1h。
8.如权利要求1所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，固化所述聚酰亚胺牺牲层之后，还包括以下步骤：
根据预设图形刻蚀所述聚酰亚胺牺牲层，以形成图形化的芯片；
在所述芯片表面形成结构层；
根据预设图形刻蚀所述结构层；
去除所述聚酰亚胺牺牲层，以形成所述微结构。
9.如权利要求8所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述结构层的材料包括：二氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中的一种或多种的组合。
10.如权利要求8所述的MEMS微结构的制备方法，其特征在于，所述结构层的厚度为1000A-2000A。
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