[发明专利]一种用于形成硬掩膜层的方法

权利要求书

1.一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；

在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成硅层；

执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述硅层构成的间隙壁；

执行横向外延生长，以在所述间隙壁的表面上形成锗硅外延层；以及

去除所述牺牲层，留下所述间隙壁和所述锗硅外延层，作为所述硬掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅层采用原子层沉积法形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述横向外延生长是在500~1000℃的温度且10~100托的压强下，以包含SiCl₄、SiH₄和SiH₂Cl₂中的至少一种以及GeH₄的混合气体为源气体进行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层采用干法剥离或湿法剥离去除，而不是干法蚀刻去除。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述牺牲层包含SiN、SiO₂、光致抗蚀剂和先进构图膜材料中的至少一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述硬掩膜层中的最小间距不大于所述牺牲层中的最小间距的三分之一。

7.一种用于自对准双重构图的方法，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上形成目标材料层；

在所述目标材料层上形成具有图案的牺牲层；以及

使用如权利要求1~6中任一项所述的方法形成的硬掩膜层进行掩蔽来执行后续工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述目标材料层和所述牺牲层之间形成有第三硬掩膜材料层、蚀刻停止层和界面层中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述后续工艺为蚀刻工艺、离子注入工艺或选择性外延生长工艺。