[发明专利]一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置

权利要求书

1.一种制备碲化镉薄膜的装置，其特征在于：包括用于加热以气化单质碲的第一原料加热腔和用于加热以气化单质镉的第二原料加热腔；所述第一原料加热腔设有用于把所述第一原料加热腔内气化的碲蒸汽和携带气体导出的第一气体导出管；所述第二原料加热腔设有用于把所述第二原料加热腔内气化的镉蒸汽和携带气体导出的第二气体导出管；所述第一气体导出管和第二气体导出管均连通至一气体混合装置；所述气体混合装置的出口朝向一衬底设置。

2.根据权利要求1所述的制备碲化镉薄膜的装置，其特征在于：所述第一原料加热腔和第二原料加热腔各自设有电阻加热装置或者卤素灯。

3.根据权利要求1所述的制备碲化镉薄膜的装置，其特征在于：所述气体混合装置为一管路，该管路具有至少一弯曲段，该弯曲段的角度为锐角。

4.根据权利要求1所述的制备碲化镉薄膜的装置，其特征在于：所述气体混合装置设有电阻加热装置或者卤素灯。

5.根据权利要求1所述的制备碲化镉薄膜的装置，其特征在于：所述第一原料加热腔和第二原料加热腔设于真空腔室内。

6.一种碲化镉薄膜的制备方法，包括将单质碲加热气化后形成碲蒸汽、以及将单质镉加热气化后形成镉蒸汽；用携带气体分别运载所述碲蒸汽和所述镉蒸汽并将所述碲蒸汽和镉蒸汽混合均匀得到碲镉混合蒸汽；所述携带气体再将所述碲镉混合蒸汽携带至衬底。

7.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：所述携带气体选自氮气、氦气、氩气。

8.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：所述碲和镉两者之间的摩尔比为1∶0.9～1.1。

9.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜的制备方法，其特征在于：所述碲和镉均为粒径小于或等于150目的粉末颗粒。