[发明专利]一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法无效

专利信息
申请号: 201210197216.2 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102738301A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 张宏;徐晓斌;彭铮;王巍;李媛媛;彭德香 申请(专利权)人: 上海中智光纤通讯有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;B41M3/00;B41M1/26
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 201108 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 正面 电极 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法,包括:

在经过制绒、扩散、表面钝化处理、正面减反膜成膜后的两面制绒的单晶硅背面印刷铝被场及背银电极并烘干后,首先在硅片正面印刷细栅电极,烘干;然后只印刷主栅电极或者同时印刷主栅电极并对细栅电极进行第二次印刷,烘干,其中,第二次印刷主栅电极所用银浆的银含量比第一次印刷细栅电极低;烘干后进隧道炉烧结,即得。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法,其特征在于:所述第二次印刷主栅电极所用银浆的银含量比第一次印刷细栅电极低1~10%。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法,其特征在于:所述第二次印刷主栅电极所用银浆的银含量比第一次印刷细栅电极低5%。

4.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法,其特征在于:所述第二次印刷主栅电极所用银浆的银含量比第一次印刷细栅电极低10%。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池正面电极的形成方法,其特征在于:所述第二次印刷所用银浆中的玻璃粉软化点比第一次印刷所用银浆高1~50度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中智光纤通讯有限公司,未经上海中智光纤通讯有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210197216.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top