[发明专利]一种应用于高频PLL的片内上电复位检测电路有效
申请号: | 201210198754.3 | 申请日: | 2012-06-17 |
公开(公告)号: | CN102710242A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 王觊婧;李峰;欧阳伟;徐学军;罗可;杜伟章 | 申请(专利权)人: | 湖南华宽通电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410000 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 高频 pll 片内上电 复位 检测 电路 | ||
1.一种应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:包括上电延时电路和上电复位检测电路,上电复位检测电路在电源电压未升高到设定值时,输出一直为低电平,当电源电压升高到设定值时,输出置为高电平信号,使电路开始正常工作,当电源电压达到正常电压值时,输出低电平,给出一个上电复位脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:当片外电源开始上电时,片内电源VDD+和VDD-由相同pin脚同时充电,经过上电延时电路产生上电速度不同的两个电压IN+和IN-,IN+、IN-电位不同由于上电速度不同产生交叉点。
3.根据权利要求2所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:采用电阻、电容和PMOS管组成延时电路,加入PMOS管加大上电延时,在同等延时条件下降低电阻及电容值。
4. 根据权利要求2所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:采用多级级联的方式,使用小尺寸电阻电容值实现大电阻电容的延时效果。
5. 根据权利要求2所述的上电延时电路,其特征是:上电结束时,IN-电压固定为一个低于电源电压值,IN+电压固定为电源电压。
6. 根据权利要求1所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:当IN-电位高于IN+电位时,POR_OUT输出为低电平;当IN+电位高于IN-电位时,POR_OUT输出为高电平;当片内电压充电完成后,IN+电位等于片内电源电压, POR_OUT输出为低电平,完成上电复位检测。
7. 根据权利要求6所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:采用小电流比较器、反相器和单端共源级放大器组成上电复位检测电路,上电结束时电路处于低功耗状态。
8. 根据权利要求7所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:随着上电电压变化,比较器输入管处于不同的导通状态,实现上电检测复位效果。
9. 根据权利要求6所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:在不同温度、电压以及制造产生的偏差时,上电延时电路产生的延时不同。
10. 根据权利要求7或者8所述的应用于高频PLL的片内上电复位检测电路,其特征是:比较器的增益使得上电复位检测电路实现上电检测并复位功能。
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