[发明专利]一种基于界面氧空位实现多值存储的阻变存储器件方法

权利要求书

1.一种基于界面氧空位实现多值存储的阻变存储器件方法，其特征包括如下步骤：

（1）先取一片10mm×5mm×0.5mm大小的含Nb单晶SrTiO₃为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；其中的单晶SrTiO₃衬底中含有质量含量为0.5%的Nb；

（2）将上述清洗干净的含Nb单晶SrTiO₃衬底用掩膜板遮挡，然后使用射频磁控溅射方法在含Nb单晶SrTiO₃衬底上溅射一定厚度为150nm-200nm、面积为1mm²的金属金薄膜做为电极，制成样品；

（3）将步骤（2）的样品剥离掩膜板，在含Nb单晶SrTiO₃衬底上涂覆面积为1mm²的金属银做为另一电极使用；

（4）将步骤（3）的样品用金属铜线将金属金电极与金属银电极连接起来。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤（2）中所使用的射频磁控溅射方法时的真空度为7×10^-4pa，溅射气压为0.8Pa，溅射时间为20min，溅射功率为60W，靶基距为5cm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的步骤（2）中射频磁控溅射方法所得到的金属金薄膜的厚度为150nm，面积为1mm²。