[发明专利]多层图案化覆盖拆分方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及多层图案化覆盖拆分方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC发展过程中，功能密度(即，每芯片面积互连器件的数量)广泛增加，与此同时几何尺寸(即，能使用构造工艺创建的最小元件(或线路))不断降低。这种减小尺寸的工艺通过提高生产效率以及降低相关成本总体上提供了益处。这种尺寸减小也增加了工艺和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，在IC制造中也需要类似的发展。

例如，由于半导体工业体器已进入纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本。因此对多层图案化工艺需要更严格的要求。例如，在多层上使用多层图案化的更小器件要求半导体器件内的各层之间的对准(也称为覆盖(overlay))精确且准确。换句话说，就是期望能够降低覆盖误差(overlay error)。尽管目前的多层图案化方法总体上胜任它们的预期目的，然而他们并不是在各个方面都令人完全满意。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：

通过第一曝光在第一层中形成第一结构，以及确定第一结构的布置信息；

通过第二曝光在位于第一层上方的第二层中形成第二结构，以及确定第二结构的布置信息；

通过第三曝光在位于第二层上方的第三层中形成包括第一子结构和第二子结构的第三结构；

其中形成第三结构包括独立地将第一子结构与第一结构对准以及独立地将第二子结构与第二结构对准。

在一些实施例中，所述方法进一步包括存储第一结构的布置信息到一数据文件中，以及存储第二结构的布置信息到该数据文件中；并且独立地对准第一子结构包括使用来自所述数据文件的所述第一结构的所述布置信息，独立地对准第二子结构包括使用来自所述数据文件的第二结构的布置信息。

在一些实施例中，确定第一结构的布置信息包括从对准标记获得第一结构的对准数据；确定第二结构的布置信息包括从所述对准标记获得第二结构的对准数据。

在各种实施方式中，对准标记包括与第一结构关联的第一对准标记和与第二结构关联的第二对准标记。

在一些实施例中，对准标记形成在有源层、多晶硅层和/或接触层中。

在进一步的实施例中，第一曝光是光学曝光，第二曝光是光学曝光，和第三曝光是电子束曝光。

在一些实施例中，数据文件包括与第一结构关联的第一数据文件和与第二结构关联的第二数据文件。

在各种实施例中，第一结构包括第一多晶硅栅极，第二结构包括第二多晶硅栅极，以及第三结构包括与第一子结构关联的第一接触件和与第二子结构关联的第二接触件。

在一些实施例中，实施电子束曝光从而同时曝光限定第一子结构的第一图案和限定第二子结构的第二图案。

在一些实施例中，按顺序实施电子束曝光，从而首先曝光限定第一子结构的第一图案，之后曝光限定第二子结构的第二图案。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种方法，包括：

在衬底上形成包括第一结构的第一层；

从对准标记获得第一层对准数据；

根据所述第一层对准数据确定第一布置信息数据；

在所述第一层上方形成包括第二结构的第二层；

从所述对准标记获取第二层对准数据；

根据所述第二层对准数据确定第二布置信息数据；

在所述第二层上方形成包括第三结构的第三层，所述第三结构包括第一子结构和第二子结构；

其中形成所述第三结构包括使用所述第一布置信息数据独立地将所述第一子结构与所述第一结构对准，以及使用所述第二布置信息数据独立将所述第二子结构与所述第二结构对准。

在一些实施例中，所述方法进一步包括从所述对准标记获得第三层对准数据以及根据所述第三层对准数据确定第三布置信息数据。获得第三层对准数据包括获得第一子结构对准数据和第二子结构对准数据。

在一些实施例中，形成所述第二结构包括使用所述第一布置信息数据将所述第二层与所述第一层对准。

在各种实施例中，所述第一布置信息数据包括第一层的第一平移误差和第一转动误差，第二布置信息数据包括第二层的第二平移误差和第二转动误差。