[发明专利]用于提取鳍片高度和叠加电容的方法及实施该方法的结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供第一测试结构，所述第一测试结构包括：

第一隔离区；

第一栅电极，位于所述第一隔离区上方；

第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，彼此平行并位于所述第一栅电极的一侧上；以及

第一接触塞，位于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的上方并电连接至所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片；提供第二测试结构，所述第二测试结构包括：

第二隔离区；

第二栅电极，位于所述第二隔离区上方；

第三半导体鳍片和第一电介质鳍片，彼此平行并位于所述第二栅电极的一侧上，其中，所述第一半导体鳍片、所述第二半导体鳍片和所述第三半导体鳍片以及所述第一电介质鳍片具有基本上相同的鳍片高度；以及

第二接触塞，位于所述第三半导体鳍片上方并电连接至所述第三半导体鳍片；

测量所述第一栅电极和所述第一接触塞之间的第一电容；

测量所述第二栅电极和所述第二接触塞之间的第二电容；以及

根据所述第二电容和所述第一电容之间的电容差值计算所述相同的鳍片高度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成多组测试结构，每组均包括两个测试结构，所述两个测试结构包括与所述第一测试结构和所述第二测试结构基本上相同的部件，其中，所述多组测试结构的每组中的半导体鳍片和电介质鳍片的鳍片高度与所述多组测试结构中的其他组的鳍片高度不同；

通过所述多组测试结构测量电容；

根据所述电容计算电容变化灵敏度，其中，所述电容变化灵敏度反映在所述多组测试结构中的栅电极和对应的接触塞之间测量的电容的变化；以及

实施通过用电容差值除以所述电容变化灵敏度计算所述相同的鳍片高度的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一测试结构和所述第二测试结构形成在同一衬底上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一测试结构进一步包括与所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片平行并位于所述第一栅电极的一侧上的第四半导体鳍片，所述第二测试结构进一步包括与所述第一电介质鳍片平行并位于所述第二栅电极的一侧上的第二电介质鳍片，以及其中，所述第四半导体鳍片和所述第二电介质鳍片的鳍片高度基本上等于所述相同的鳍片高度。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片上以及在所述第一接触塞下方形成第一外延半导体区；以及

在所述第三半导体鳍片和所述第一电介质鳍片上以及在所述第二接触塞下方形成第二外延半导体区，其中，所述第一外延半导体区和所述第二外延半导体区具有基本上相同的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片彼此之间具有第一间隔，所述第三半导体鳍片和所述第一电介质鳍片彼此之间具有第二间隔，以及其中，所述第一间隔等于所述第二间隔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片与所述第一栅电极之间具有第一间隔，所述第三半导体鳍片和所述第一电介质鳍片与所述第二栅电极之间具有第二间隔，以及其中，所述第一间隔等于所述第二间隔。