[发明专利]一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210200142.3 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102800457A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张昀;张健;刘平;闫阿儒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基底 材料 表面 sm co 永磁 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，其特征是：所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。
2.如权利要求1所述的基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，其特征是：所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为1um～10um。
3.如权利要求1所述的基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，其特征是：所述的缓冲层厚度为20～100nm。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：
步骤1：采用磁控溅射技术，以高纯钨靶为缓冲层靶材，在基底材料表面溅射沉积缓冲层；
步骤2：采用磁控溅射技术，以Sm-Co基复合材料为靶材，在缓冲层表面溅射沉积Sm-Co基永磁薄膜。
5.如权利要求4所述的基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜的制备方法，其特征是：所述的溅射沉积温度为25℃～400℃。
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