[发明专利]自对准源极和漏极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上方形成栅极结构；

在所述衬底中形成掺杂区；

实施第一蚀刻工艺以去除所述掺杂区并在所述衬底中形成沟槽；以及

实施第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺通过去除部分所述衬底而改变所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述改变的沟槽中形成源极/漏极部件，其中，在所述改变的沟槽中形成源极/漏极部件包括在所述改变的沟槽中外延生长半导体材料；或者

所述方法进一步包括在实施所述第一蚀刻工艺之前形成与所述栅极结构的侧壁相邻的间隔件；或者

所述方法进一步包括实施退火工艺以改变所述掺杂区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底中形成所述掺杂区包括以在所述掺杂区和所述衬底之间获得立体势垒的掺杂浓度形成所述掺杂区；其中实施所述第一蚀刻工艺以去除所述衬底中的所述掺杂区包括实施零偏置等离子体蚀刻工艺，选择性地蚀刻所述掺杂区；其中实施所述零偏置等离子体蚀刻工艺选择性地蚀刻所述掺杂区包括使用基于氯的蚀刻化学品。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述第一蚀刻工艺以在所述衬底中形成所述沟槽包括将所述沟槽和所述栅极结构自对准；其中，实施所述第一蚀刻工艺包括各向同性地蚀刻所述掺杂区。

5.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成栅极结构；

实施注入工艺以在所述半导体衬底中形成掺杂区，其中所述掺杂区与所述栅极结构对准；

形成与所述栅极结构的侧壁相邻的间隔件，其中所述间隔件被部分地设置在所述掺杂区的上方；

实施零偏置等离子体蚀刻工艺，从所述衬底选择性地蚀刻所述掺杂区以形成沟槽；以及

改变所述沟槽的轮廓。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

实施所述注入工艺以在所述半导体衬底中形成所述掺杂区包括在所述半导体衬底中注入n型掺杂剂；以及

实施所述零偏置等离子体蚀刻工艺以从所述衬底选择性地蚀刻所述掺杂区以形成沟槽包括使用基于氯的蚀刻化学品；

其中在所述半导体衬底中注入n型掺杂剂包括以在所述掺杂区和所述衬底之间获得立体势垒的掺杂浓度注入所述n型掺杂剂；

其中所述掺杂浓度大于或者等于约5×10¹⁹atoms/cm³。

7.根据权利要求5所述的方法，其中实施所述注入工艺以在所述半导体衬底中形成所述掺杂区包括以正交于所述半导体衬底的表面的角度注入掺杂种类和非掺杂种类两者之一；或者

其中，实施所述注入工艺以在所述半导体衬底中形成所述掺杂区包括以与所述半导体衬底的表面的法线倾斜的角度注入掺杂种类和非掺杂种类两者之一。

8.根据权利要求5所述的方法，进一步包括外延生长半导体材料以填充具有所述改变的轮廓的所述沟槽；

其中，改变所述沟槽的所述轮廓包括实施干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺、或者其组合；

其中，实施所述湿法蚀刻工艺包括在室温下使用四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻溶液；

其中实施所述干法蚀刻工艺包括：使用包括含氯的蚀刻化学品的偏置等离子体蚀刻工艺。

9.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成栅极堆叠件，其中所述栅极堆叠件插入源极区和漏极区；

分别在所述源极区和所述漏极区形成n型掺杂区，其中所述n型掺杂区与所述栅极堆叠件对准；

实施零偏置等离子体蚀刻工艺，使用含氯的蚀刻化学品以选择性地去除所述n型掺杂区，从而在所述源极区和所述漏极区形成沟槽；以及

实施蚀刻工艺以改变所述沟槽的轮廓。

10.根据权利要求9所述的方法，其中实施所述蚀刻工艺包括在室温下使用四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻溶液。