[发明专利]减小背照式图像传感器的暗电流

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

半导体图像传感器件，具有非划片槽区域和划片槽区域，所述半导体图像传感器件包括：

第一衬底部分，设置在所述非划片槽区域中，其中，所述第一衬底

部分包括掺杂辐射感测区域；以及

第二衬底部分，设置在所述划片槽区域中，其中，所述第二衬底部分具有与所述第一衬底部分相同的材料组分。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述划片槽区域设置在与所述非划片槽区域邻近的位置上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一衬底部分和所述第二衬底部分均包含硅。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二衬底部分薄于所述第一衬底部分。

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

所述第一衬底部分具有小于大约3微米的第一厚度；并且

所述第二衬底部分具有小于大约4000埃的第二厚度。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一衬底部分与所述第二衬底部分直接物理接触。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图像传感器件进一步包括：设置在所述划片槽区域中和所述第二衬底部分上方的有机部分。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图像传感器件进一步包括：

互连结构，设置在所述第一衬底部分和所述第二衬底部分的正面上方；以及

抗反射层，设置在所述第一衬底部分和所述第二衬底部分的背面上方。

9.一种半导体图像传感器件，包括：

辐射感测区域，位于硅衬底中，所述辐射感测区域用于感测从硅衬底的背面发出的辐射；

硅部件，位于邻近所述硅衬底的位置上；

有机部件，位于所述硅部件的背面上方；以及

互连结构，位于所述硅衬底的正面和所述硅部件的正面上方；

其中：

所述辐射感测区域位于所述图像传感器件的像素区域中；并且

所述硅部件和所述有机部件位于所述图像传感器件的划片槽区域中。

10.一种制造图像传感器件的方法，包括：

在衬底中形成多个辐射感测区域，所述辐射感测区域形成在所述图像传感器件的非划片槽区域中；

通过蚀刻所述划片槽区域中的衬底，形成位于所述图像传感器件的划片槽区域中的开口，其中，在所述蚀刻之后，部分衬底保留在所述划片槽区域中；以及

利用有机材料填充所述开口。