[发明专利]一种垂直结构的LED芯片

权利要求书

1.一种垂直结构的LED芯片，包括：

外延层；

形成于所述外延层正面上的第一基板，用于缓冲所述外延层和第二基板之间的应力；

以及形成于所述第一基板上的第二基板，用于支撑所述垂直结构的LED芯片。

2.如权利要求1所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的厚度与所述外延层的厚度差小于等于5μm。

3.如权利要求2所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的厚度范围为4μm～20μm。

4.如权利要求2所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述外延层的厚度范围为4μm～20μm。

5.如权利要求1或2所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的膨胀系数与所述外延层的膨胀系数差小于等于3%。

6.如权利要求5所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的材料为铬、镍、钨、钼、钛、铜、金、铂、银、钽、铌、钒、铝、硅中的一种或两种以上组合形成的合金。

7.如权利要求6所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的材料为铝硅合金，铝占所述铝硅合金的质量百分比为15%-25%。

8.如权利要求6所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第一基板的材料为钨铜合金，铜占所述钨铜合金的质量百分比为7%-12%。

9.如权利要求1所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的厚度与所述衬底的厚度差小于等于5μm。

10.如权利要求9所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的厚度范围为80μm～500μm。

11.如权利要求1或9所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的膨胀系数与所述衬底的膨胀系数差小于等于3%。

12.如权利要求11所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的材料为铬、镍、钨、钼、钛、铜、金、铂、银、钽、铌、钒、铝、硅中的一种或两种以上组合形成的合金。

13.如权利要求12所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的材料为铝硅合金，铝占所述铝硅合金的质量百分比为35%-45%。

14.如权利要求12所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述第二基板的材料为钨铜合金，铜占所述钨铜合金的质量百分比为15%-25%。

15.如权利要求1所述的垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述外延层包括：

N型氮化镓层；

形成于所述N型氮化镓层之上的放光层；以及

形成于所述发光层之上的P型氮化镓层。

16.如权利要求15所述的LED芯片的结构，其特征在于，所述垂直结构的LED芯片还包括：

形成于所述P型氮化镓层之上的接触层；

形成于所述接触层之上的反射层；

形成于所述反射层之上的防扩散层；

形成于所述第二基板之上的P型第二电极；以及

形成于所述外延层背面的N型第二电极。