[发明专利]一种阵列基板、液晶显示装置和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD的阵列基板，包括金属电极，其特征在于，所述金属电极包括导电层，所述导电层的一面设有VO_xSi_y材质的粘贴层，另一面设有阻隔层。

2.如权利要求1所述的一种TFT-LCD的阵列基板，其特征在于，所述导电层采用铜-钒合金，其中钒的含量为0.7～2at%。

3.如权利要求1所述的一种TFT-LCD的阵列基板，其特征在于，所述导电层包括与粘贴层一体形成的第一导电层，与阻隔层一体形成的第二导电层，以及位于第一导电层和第二导电层之间独立设置的第三导电层。

4.如权利要求3所述的一种TFT-LCD的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层采用铜-钒合金，其中钒的含量为0.7～2at%，所述第三导电层采用纯铜材料。

5.如权利要求1～4任一所述的一种TFT-LCD的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层采用VO_x材料。

6.一种液晶显示装置，包括如权利要求1～5任一所述的一种TFT-LCD的阵列基板。

7.一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，包括步骤：

A、准备好铜-钒合金靶材和阵列基板的基材，将铜-钒合金靶材维持在固溶状态，并对基材进行加热处理；

B、将铜-钒合金靶材铺设到所述阵列基板的基材表面，形成带有VO_xSi_y材质粘贴层的金属层。

8.如权利要求7所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤A中，所述铜-钒合金靶材维持在100-150℃；阵列基板加温至100-150℃。

9.如权利要求7所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B后还包括步骤C：对所述阵列基板进行灰化处理，所述铜-钒合金靶材中的钒原子跟氧气产生化学反应，在所述粘贴层相对的另一面生成VO_x材质的阻隔层。

10.如权利要求7所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B中包括：

B1、将铜-钒合金靶材溅射到所述阵列基板的基材表面；

B2、在真空环境下进行退火处理；铜-钒合金靶材中的钒原子在表面聚集，跟阵列基板的硅质材料产生化学反应，生成VO_xSi_y材质的粘贴层。

11.如权利要求10所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B1中，铜-钒合金靶材形成的薄膜厚度为200-300nm。

12.如权利要求7所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B中包括：

B1-1、将铜-钒合金靶材溅射到所述阵列基板的基材表面；

B1-2、在铜-钒合金靶材表面溅射纯铜靶材；

B1-3、在纯铜靶材上溅射铜-钒合金靶材；

B2、在真空环境下进行退火处理；铜-钒合金靶材中的钒原子在表面聚集，跟阵列基板的硅质材料产生化学反应，生成VO_xSi_y材质的粘贴层。

13.如权利要求12所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于：

所述步骤B1-1中的铜-钒合金靶材形成的薄膜厚度为10-30nm；

所述步骤B1-2的纯铜形成的薄膜厚度为250-500nm；

所述步骤B1-3中的铜-钒合金靶材形成的薄膜厚度为10-30nm。

14.如权利要求10或12所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B2中，真空环境为10^-2～10^-3Pa；退火炉温度为300-350℃，退火持续时间为3-5分钟。

15.如权利要求7～13任一所述的一种TFT-LCD的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤A和B中，所述铜-钒合金靶材的钒的成分区间为7-15at%。