[发明专利]两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210201410.3 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102709182A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金晶;瞿晓雷;史伟民;邱宇峰;周平生;廖阳 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 辅助 氯化 诱导 晶化非晶硅 薄膜 方法 | ||
1.一种两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法，其特征在于，具有以下步骤：
a)使用载玻片作为衬底，分别用分析纯丙酮，酒精和去离子水对衬底进行超声波清洗，使玻璃衬底清洁，烘干后放入等离子增强化学气相沉积反应室；
b)采用等离子增强化学气相沉积PECVD设备在载玻片生长一层非晶硅a-Si薄膜，沉积时衬底的温度为150oC～250oC，沉积压强即真空度为1.lTorr，沉积薄膜厚度为200 nm～300nm；溅射功率为200W，射频频率为13.56MHz，气源为纯度为100%的硅烷，作为稀释硅烷使用的氢气纯度为5N；
c)配制体积比为乙醇：甲苯=1：4的溶液，向溶液中加入乙基纤维素，并不停搅拌直至完全溶解，冷置5～10min，使溶液变粘稠；将氯化镍加入到乙醇当中置于磁力搅拌仪上加热搅拌，加热温度为60oC，待完全溶解将该溶液加入到乙醇和甲苯混合的粘稠溶液中，配置成质量浓度为0.5%～1%的粘稠性氯化镍溶液；
d)通过旋涂法将氯化镍溶液旋涂在非晶硅a-Si薄膜表面；匀胶机的转速为1500 rpm～2100rpm；
e)将上述步骤d)旋涂好之后的非晶硅薄膜样品放入石英舟内，将装载好的石英舟置于石英管式退火炉中，在400oC～450oC退火1～2小时再升温到500oC～550oC退火1～4小时后自然冷却；在整个退火过程中，通入氮气作为保护气体，气体流量为100sccm，退火的升温速率为5oC/min；
f)用稀盐酸溶液洗清步骤e)经两步退火的样品表面，除去表面微量的金属残留，最后制得多晶硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
