[发明专利]一种制备二维纳米薄膜的设备有效
| 申请号： | 201210201571.2 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102732834A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征;王秋来;黄文符 | 申请（专利权）人： | 徐明生;陈红征;王秋来;黄文符 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C16/44;C23C14/56;C23C16/54;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 114002 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二维 纳米 薄膜 设备 | ||
1.一种制备二维纳米薄膜的设备，包括化学气相沉积腔室(2)，进料腔室(4)，物理气相沉积腔室(6)和样品传递装置(1)和(8) ，其特征在于：
所述的进料腔室、化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室各腔室之间分别设有阀门，进料腔室设有与大气相通的阀门；
所述的物理气相沉积腔室(6)设有一个或二个以上的气体连接口；
所述的物理气相沉积腔室(6)设有物理气相沉积系统；
所述的化学气相沉积腔室(2)设有加热装置(11)；
所述的化学气相沉积腔室(2)设有一个或二个以上的气体连接口；
所述的进料腔室(4)、物理气相沉积腔室(6)和化学气相沉积腔室(2)均设有样品升降装置；
所述的进料腔室(4)、物理气相沉积腔室(6)和化学气相沉积腔室(2)中的至少一个腔室设有抽真空装置。
2.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的化学气相沉积腔室(2)设有等离子体增强化学气相沉积系统、微波等离子体化学气相沉积系统、气溶胶辅助化学气相沉积系统、电感耦合等离子体化学气相沉积系统中的任意一种或二种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的物理气相沉积腔室(6)中设有离子束沉积系统、溅射沉积系统、电子束沉积系统、热蒸镀沉积系统、激光沉积系统、离子注入系统中的任意一种或二种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的物理气相沉积腔室(6)设有加热装置(13)。
5.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的化学气相沉积腔室(2)和/或物理气相沉积腔室(6)的腔壁设有冷却系统。
6.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的化学气相沉积腔室(2)和/或物理气相沉积腔室(6)的腔室内设有隔热屏蔽系统。
7.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)设有样品处理装置(21)。
8.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)设有气体连接口。
9.根据权利要求1所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的物理气相沉积腔室(6)和/或化学气相沉积腔室(4)设有样品旋转装置。
10.根据权利要求1至9任一项所述的制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯薄膜、金属硫族化合物薄膜、氮化硼薄膜、硅烯薄膜、锗烯薄膜或元素周期表中第四主族的其它元素构成的类石墨烯薄膜。
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