[发明专利]电介质膜处理方法

权利要求书

1.一种用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，包含：

被配置为接收、支撑和传送该衬底的衬底支撑装置；以及

具有多个被配置为向该衬底表面输送和除去多个施加化学物质的进口端口和出口端口的化学品输送机构，其中在清洁过程中适当的施加化学物质与微粒和聚合物残留污染物相互作用并将该微粒和聚合物残留污染物从该衬底表面除去，同时保持特征的功能性和围绕该衬底表面上的该特征形成的低k电介质材料的低k特性。

2.根据权利要求1所述的用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，该系统进一步包括多个储液槽和多个真空端口，其中该多个储液槽被配置为通过适当的进口端口向该衬底表面供应适当的施加化学物质，该多个真空端口被配置为通过相应的出口端口除去该施加化学物质、该污染物和在该清洁过程中释放的受损低k电介质膜层。

3.根据权利要求1所述的用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，其中该系统进一步包括控制机构以控制该多个化学物质中的每一个到该衬底表面的输送以实现对该衬底表面的最佳清洁而不对在该衬底上形成的该特征和材料造成损害。

4.根据权利要求3所述的用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，进一步包括被配置为提供力的力输送机构，该力具有到该衬底表面的该施加化学物质的法向分量，从而该施加化学物质的各部分被带入与污染物能够相互作用的范围内以与该污染物相互作用并从该衬底表面除去该污染物而不对该衬底表面造成损害。

5.根据权利要求1所述的用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，进一步包括以能够通讯的方式连接到该化学品输送机构的计算系统以向该衬底表面施加适当量的该多个施加化学物质以进行清洁。

6.根据权利要求1所述的用于在蚀刻操作后清洁衬底表面的系统，其中该化学输送机构进一步包括一个或更多个临近头，该临近头被配置为向该衬底表面提供足量的一个或更多个液态和气态化学物质作为弯液面以实现清洁。