[发明专利]具有竖直装置和非竖直装置的半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板，延伸在水平方向上；

竖直晶体管，位于该基板上，该竖直晶体管包括：

第一扩散区域，位于该基板上；

沟道区域，位于该第一扩散区域上并且在相对于该基板的水平延伸方向的竖直方向上延伸；

第二扩散区域，位于该沟道区域上；以及

栅极电极，位于该沟道区域的侧壁并与该沟道区域绝缘；以及水平晶体管，位于该基板上，该水平晶体管包括：

第一扩散区域和第二扩散区域，位于该基板上，并且彼此分隔开；

沟道区域，位于该基板上并位于该第一扩散区域和该第二扩散区域之间；以及

栅极电极，位于该沟道区域上并与该沟道区域隔离；

其中该竖直晶体管的栅极电极的一部分和该水平晶体管的栅极电极的一部分在相对于该基板的竖直方向上位于相同竖直位置处。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于该水平晶体管和该竖直晶体管上的材料层，该竖直晶体管的栅极电极和该水平晶体管的栅极电极二者与该材料层直接接触。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该材料层包括蚀刻停止层。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该材料层包括绝缘层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直晶体管的栅极电极和该水平晶体管的栅极电极包括相同的材料层部分。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该水平晶体管的第一扩散区域与该竖直晶体管的第一扩散区域邻接。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中相对于该基板的上表面，该水平晶体管的第一扩散区域的下边界在竖直位置上高于该竖直晶体管的第一扩散区域的下边界，并且其中该水平晶体管的第一扩散区域与该竖直晶体管的第一扩散区域邻接。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中相对于该基板的上表面，该水平晶体管的第一扩散区域的下边界在竖直位置上低于该竖直晶体管的第一扩散区域的下边界，并且其中该水平晶体管的第一扩散区域与该竖直晶体管的第一扩散区域邻接。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中相对于该基板的上表面，该水平晶体管的第一扩散区域的下边界与该竖直晶体管的第一扩散区域的下边界处于相同的竖直位置，并且其中该水平晶体管的第一扩散区域与该竖直晶体管的第一扩散区域邻接。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

该竖直晶体管的第一扩散区域包括该竖直晶体管的漏极；

该竖直晶体管的第二扩散区域包括该竖直晶体管的源极；

该水平晶体管的第一扩散区域包括该水平晶体管的漏极和源极中的一个；并且

该水平晶体管的第二扩散区域包括该水平晶体管的漏极和源极中的另一个。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直晶体管的第一扩散区域与该水平晶体管的第一扩散区域和第二扩散区域相对于该基板而位于相同的竖直位置。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直晶体管的第一扩散区域包括在该竖直方向上延伸的竖直凸起，并且其中该竖直沟道区域位于该竖直凸起上。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直晶体管还包括位于该第二扩散区域上的硅化物区域。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中该竖直晶体管还包括位于该硅化物区域上的金属图案。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中该竖直晶体管的第二扩散区域包括与该竖直晶体管的竖直沟道区域直接接触的硅化物区域。

16.如权利要求1所述的半导体装置，其中该水平晶体管的第一扩散区域和该竖直晶体管的第一扩散区域二者具有位于它们之上的硅化物区域。

17.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于该竖直晶体管的栅极电极的侧壁和该水平晶体管的栅极电极的侧壁的绝缘间隔物。

18.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于该竖直晶体管的栅极电极上和该水平晶体管的栅极电极上的硅化物区域。