[发明专利]互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法

说明书

本专利申请是2009年11月04日递交的申请号为200910212315.1、发明名称为“互补型金属氧化物半导体图像感测器及其操作方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明关于一种互补型金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)图像感测器及其操作方法，尤指一种可通过自我校正方式来改善组装良品率的CMOS图像感测器及其操作方法。

背景技术

由于近年来图像感测器的发展及图像处理速度提高，使得光电式触控屏幕愈来愈受到重视。目前，图像感测器大致上可分类成电荷耦合元件(charge coupled device,CCD)图像感测器以及CMOS图像感测器。一般而言，CCD图像感测器比CMOS图像感测器具有更少的噪声(noise)，且可产生更好的图像品质。然而，CMOS图像感测器可将信号处理电路整合于单一芯片上，使得产品易于小型化。此外，CMOS图像感测器在功率消耗上非常低，因此，CMOS图像感测器的应用也愈来愈广泛。

请参阅图1，图1为现有技术的光电式触控屏幕1的示意图。如图1所示，光电式触控屏幕1包含触控面板10以及两个CMOS图像感测器12、14。CMOS图像感测器12、14分别设置在触控面板10的两侧。当使用者使用手指、触控笔等物件16在触控面板10上进行操作时，CMOS图像感测器12、14即会分别感测到物件16的投影，此时，只要知道投影位置到触控位置的角度，再量测两个CMOS图像感测器12、14之间的距离，就可以算出触控位置的座标。

请参阅图2以及图3，图2为物件16的移动轨迹160在图1中的CMOS图像感测器12上的投影示意图，图3为物件16的移动轨迹160'在图1中的CMOS图像感测器12上的投影示意图。以CMOS图像感测器12为例，如果CMOS图像感测器12与触控面板10在组装时没有发生偏差或歪斜，则物件16的移动轨迹160在CMOS图像感测器12的像素阵列单元120上的投影即会呈现如图2所示的方正的四边形。然而，如果CMOS图像感测器12与触控面板10在组装时受到组装公差的影响而发生偏差或歪斜，则物件16的移动轨迹160'在CMOS图像感测器12的像素阵列单元120上的投影即会呈现如图3所示的歪斜的平行四边形。此时，读出电路122便需要抓取更多的像素数据以供后端的演算法进行判断，才能消除组装公差的影响，进而增加系统的操作频率及功耗。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提供一种CMOS图像感测器的操作方法，可通过自我校正方式来改善组装良品率，以解决上述问题。

根据一实施例，本发明的CMOS图像感测器的操作方法包含下列步骤：通过一像素阵列单元感测一物件，所述像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器，所述M个像素中的每一个分别与所述P个多工器的其中之一电性连接，M为一正整数，P为一小于或等于M的正整数；计算对应所述物件的一感测区域，所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数；产生一列选择信号；以及控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素，Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数；用以列为主的顺序读取所述感测区域的所述N个像素所产生的信号。

根据另一实施例，本发明的CMOS图像感测器的操作方法包含下列步骤：通过一像素阵列单元感测一物件，其中，所述像素阵列单元包含M个像素，且M为一正整数；计算对应所述物件的一感测区域，其中，所述感测区域包含所述M个像素中的N个像素，且N为一小于或等于M的正整数；产生一列选择信号，以控制所述M个像素输出其所产生的信号；计算位于所述感测区域中的每一列的一第一个像素与一最后一个像素；用以列为主的顺序自每一列的所述第一个像素读取至所述最后一个像素；以及输出所述N个像素所产生的信号。

因此，根据本发明的CMOS图像感测器的操作方法，本发明仅需要将对应物件轨迹的感测区域中的像素数据输出，即可消除组装公差的影响，进而大幅降低系统的操作频率及功耗。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的实施例及所附附图得到进一步的了解。

附图说明

图1为现有技术的光电式触控屏幕的示意图；

图2为物件轨迹在图1中的CMOS图像感测器上的投影示意图；

图3为物件轨迹在图1中的CMOS图像感测器上的投影示意图；

图4为根据本发明一实施例的CMOS图像感测器的示意图；

图5为图4中的像素阵列单元具有一3*3像素矩阵的示意图；