[发明专利]一种改善硅外延片翘曲度的方法无效
| 申请号： | 201210202949.0 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102709158A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;高国智 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 外延 曲度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于包括下述步骤：
（1）准备硅外延片：制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片；
（2）退火：将准备的硅外延片放入反应室，在650-1050℃下退火10-30min；用10-15分钟降温至≤300℃，将硅外延片取出反应室。
2.根据权利要求１所述的一种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于步骤（1）中所述的新的硅外延片的制取方法为：将硅衬底片装入反应室，用10-15分钟升温至900℃,8-12分钟升至1020-1050℃，进行外延生长。
3.根据权利要求１所述的一种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于步骤（2）中退火温度为850-950℃。
4.根据权利要求１所述的一种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于步骤（1）中所述的需修复的硅外延片为翘曲度大于硅外延片厚度1%的硅外延片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
