[发明专利]多结叠层电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210203859.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102738292A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郑新和;张东炎;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多结叠层 电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，其特征在于，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式连接。
2.根据权利要求1所述的多结叠层电池，其特征在于，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层均采用双层台面结构，且所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层中每层台面结构裸露表面均设置一电极。
3.根据权利要求1所述的多结叠层电池，其特征在于，所述III-V族多结电池膜层为Ge/Ge/GaAs/GaAs/GaAs/GaAs/GaAs/GaInP/GaInP/GaInP/AlInP、InGaAs/InGaAs/GaInP/InGaAs/GaAs/GaAs/GaInP/AlGaAs/GaInP/GaInP/AlInP与Ge/Ge/GaAs/GaAs/InGaAs/InGaAs/GaAs/GaInP/AlGaAs/AlGaAs/AlInP中任意一种。
4.一种如权利要求1所述的多结叠层电池的制备方法，其特征在于，包括步骤： 1）提供一第一衬底、一第二衬底； 2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层； 3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层； 4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。
5.根据权利要求4所述的多结叠层电池的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤： 5）图形化所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层，使得上述两膜层均形成双层台面结构； 6）在所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层中每层台面结构裸露表面均设置一电极。
6.根据权利要求4所述的多结叠层电池的制备方法，其特征在于，所述步骤4）中键合的方式包括采用共熔、过渡层、高温处理以及静电键合中任意一种。
7.根据权利要求6所述的多结叠层电池的制备方法，其特征在于，所述过渡层的材料为铝、钛、硅化铂中任意一种或多种。
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