[发明专利]一种制备自对准镍硅化物的方法

权利要求书

1.一种制备自对准镍硅化物的方法，其特征在于，首先，在包含源/漏裸露的半导体器件表面依次沉积第一含Pt镍薄膜层、第二含Pt镍薄膜层；其次，对器件进行第一次高温退火，并刻蚀除去高温退火后的器件中未反应的含Pt镍薄膜层；最后，对器件进行第二次高温退火形成均匀的低电阻硅化物，其中第一含Pt镍薄膜层中的铂量不低于第二铂镍薄膜层种的含量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备方法还包括在沉积镍薄膜前对硅片的清洗步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二含Pt镍薄膜层表面还沉积一保护层，所述保护层在随着未反应的含Pt镍薄膜层一同被除去。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层为钛或氮化钛保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一含Pt镍薄膜层中Pt的含量为8~30%。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二含Pt镍薄膜层中Pt的含量为0~8%。