[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210204542.1 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103187371A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭明灿;郑泗东;张翼;周伯谦;郑时龙;张嘉华;陈宗麟;蔡建峰 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
基板，具有基板上表面，其中该基板具有凹槽，该凹槽从该基板上表面向下延伸，该凹槽具有凹槽侧表面；
管芯，位于该凹槽中，其中该管芯具有管芯下表面与管芯侧表面，该管芯下表面低于该基板上表面；以及
介质，其中该介质填充该凹槽位于该凹槽侧表面与该管芯侧表面之间的部分。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹槽侧表面具有曲率半径，该管芯具有管芯高度，该管芯高度小于该曲率半径的两倍。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该介质与该凹槽侧表面及该管芯侧表面接触。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹槽具有互相连通的上开口部分与下开口部分，其中该上开口部分的宽度大于该下开口部分的宽度。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该上开口部分的宽度与该下开口部分的宽度实质上分别为固定。
6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该下开口部分的宽度实质上等于该管芯的宽度。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹槽的宽度由上至下逐渐变小。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹槽的宽度实质上为固定。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该凹槽的宽度大于或实质上等于该管芯的宽度。
10.如权利要求1所述的半导体结构，还包括锡球与接触垫，其中该接触垫位于该凹槽中，该管芯通过该锡球粘着至该接触垫，以电性连接至该基板。
11.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
位于该基板中的栅极、漏极及源极；以及
多条打线，分别电性连接于该管芯与该栅极、该漏极及该源极之间。
12.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供基板，其中该基板具有基板上表面；
从该基板上表面向下在该基板中形成凹槽，其中该凹槽具有凹槽侧表面；
配置管芯于该凹槽中，其中该管芯具有管芯下表面与管芯侧表面，该管芯下表面低于该基板上表面；以及
填充介质于该凹槽位于该凹槽侧表面与该管芯侧表面之间的部分。
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