[发明专利]防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺

权利要求书

1.防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺，其特征在于，包括有以下操作步骤：

a)、加料：将多晶硅或单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定，杂质种类有硼、磷、氮；

b)、融化：加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，氮气的纯度为98％以上，氮气压力为0.06-0.2MPa, 氮气流量80-100L/min,然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1420℃以上，将多晶硅或单晶硅原料熔化；

c)、缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm；

d)、放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得硅单晶的直径渐渐增大到所需的大小，围绕于硅单晶棒外设有热屏，热屏的上端连接有热屏上盖，热屏上盖的下方设有上保温筒，热屏是由热屏外壳、热屏内壳及中间的热屏保温层组成，热屏呈圆台状，且具有中央通道，热屏与热屏上盖之间的夹角为40-50°，中央通道的纵剖面为梯形，氮气流从中央通道通入，加强了氮气流对固-液界面的吹拂；

e)、等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分，单晶硅片取自于等径部分；

f)、尾部生长：在长完等径部分之后，必须先将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开，长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。

2.根据权利要求1所述防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺，其特征在于：在步骤b)中， 加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，氮气的纯度为99.9％，氮气压力为0.14MPa, 氮气流量90L/min,然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1570℃，将多晶硅或单晶硅原料熔化。