[发明专利]一种提高铸锭单晶硅收率的方法无效
| 申请号： | 201210205294.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102732948A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 熊震;付少永;张驰;黄强;黄振飞;刘振淮;陈雪 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 铸锭 单晶硅 收率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高铸锭单晶硅收率的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在铸锭坩埚底部设置杂质扩散阻挡层，来阻挡杂质向晶锭内的扩散；
2）将厚度为5~50 mm的单晶硅块紧密排列，作为籽晶铺满坩埚底部；
3）然后依次将硅料、掺杂元素原料置于坩埚中；
4）抽取真空并通入惰性气体N2或Ar，边抽真空边通入惰性气体；
5）加热坩埚，使作为籽晶的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；
6）定向凝固时，使坩埚底部为冷端，籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。
2.如权利要求1所述的一种提高铸锭单晶硅收率的方法，其特征在于：所述步骤1）中的杂质扩散阻挡层为氮化硅薄膜、氮化硅粉、氮化硅球、石英板、多孔硅、硅粉、硅片、架空或其他具有杂质扩散阻挡功能的形式。
3.如权利要求2所述的一种提高铸锭单晶硅收率的方法，其特征在于：所述的杂质扩散阻挡层采用薄膜或硅片，厚度为0.01~5mm；采用板材，厚度为5~20mm；采用粉状物，松装厚度为0.5~20mm；采用架空，则架空的高度为1~20mm。
4.如权利要求3所述的一种提高铸锭单晶硅收率的方法，其特征在于：所述的架空是通过支撑物支撑籽晶来达到目的的。
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