[发明专利]磁接近传感器

权利要求书

1.磁接近传感器，包括磁传感器元件(5)，以及具有第一磁极面和第二磁极面的磁体组件(6，7)，其中第一磁极面对应于磁体组件(6，7)的第一磁极，第二磁极面对应于磁体组件(6，7)的第二磁极，

其中所述磁体组件(6，7)的第一磁极面位于邻近磁接近传感器的传感器目标体表面处，和

传感器元件(5)位于距磁体组件(6，7)远离所述传感器目标体表面的第二磁极面第一距离t处，其中

磁体组件(6，7)被设在磁传感器元件(5)和传感器目标体表面之间，其中传感器元件(5)的感测表面面向磁体组件(6，7)远离所述传感器目标体表面的所述第二磁极面，并且其中磁体组件(6，7)包括轴向磁极片(7)及同轴设置的磁体本体(6)。

2.根据权利要求1所述的磁接近传感器，其中所述轴向磁极片(7)延伸出所述同轴设置的磁体本体(6)。

3.根据权利要求1或2所述的磁接近传感器，进一步包括传感器外壳(8)，所述传感器外壳(8)定义传感器目标体表面，其中所述传感器元件(5)和磁体组件(6，7)嵌入所述传感器外壳(8)中。

4.根据权利要求3所述的磁接近传感器，其中所述传感器外壳(8)以至少0.1mm的厚度覆盖所述磁体组件(6，7)的第一磁极面。

5.根据权利要求1所述的磁接近传感器，其中所述第一距离(t)在2.2mm至2.7mm之间。